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龙图腾网获悉迈感微电子(上海)有限公司申请的专利一种薄膜体声波谐振器及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116865712B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310896932.8，技术领域涉及：H03H9/17；该发明授权一种薄膜体声波谐振器及其制备方法是由缪建民;杨应田;张瑞珍;王志宏设计研发完成，并于2023-07-20向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种薄膜体声波谐振器及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种薄膜体声波谐振器及其制备方法，薄膜体声波谐振器包括：第一支撑层位于第二边缘区的部分包括第一支撑部和第一悬浮部，第一悬浮部包括第一凹陷部、第一凸出部和第二凹陷部，第一支撑层位于第一边缘区的部分包括第二凸出部，第一支撑部与衬底接触，第一凹陷部、第一凸出部、第二凹陷部和第二凸出部与衬底不接触，衬底邻近第一支撑层的第一表面具有空腔。或者第一支撑层位于第二边缘区的部分包括第二支撑部，第二支撑部与衬底接触，第一支撑层还包括位于第二支撑部和第一边缘区之间的第二悬浮部，第二悬浮部还包括至少一个第三凸出部，第一边缘区包括第四凸出部，本发明可以改善横向波能量向外传播泄露的问题，提高谐振器的Q值。

本发明授权一种薄膜体声波谐振器及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种薄膜体声波谐振器，其特征在于，包括： 依次层叠设置的衬底、第一支撑层、底电极、压电层和顶电极； 所述谐振器包括谐振区和环绕所述谐振区的第一边缘区和第二边缘区，所述第二边缘区环绕所述第一边缘区；所述顶电极设置于所述谐振区，所述压电层和所述底电极设置于所述第一边缘区和所述谐振区；所述第一支撑层设置于所述第一边缘区和所述第二边缘区； 所述第一支撑层位于所述第二边缘区的部分包括第一支撑部和第一悬浮部，所述第一悬浮部包括第一凹陷部、第一凸出部和第二凹陷部，所述第一支撑层位于所述第一边缘区的部分包括第二凸出部，所述第一支撑部与所述衬底接触，所述第一凹陷部、所述第一凸出部、所述第二凹陷部和所述第二凸出部与所述衬底不接触，在所述第二边缘区指向所述谐振区的方向上，第一支撑部、第一凹陷部、第一凸出部和第二凹陷部依次设置；所述衬底邻近所述第一支撑层的第一表面具有空腔，所述谐振区、所述第一边缘区和除第一支撑部之外的所述第二边缘区在所述衬底的垂直投影位于所述空腔内，所述第一凹陷部和所述第二凹陷部邻近所述衬底的表面与所述衬底远离所述底电极的第二表面之间的距离小于所述第一凸出部和所述第二凸出部邻近所述衬底的表面与所述衬底的第二表面之间的距离，所述底电极与所述第二凸出部远离所述衬底的表面接触； 或者，所述衬底邻近所述第一支撑层的第一表面为平面，所述第一支撑层位于所述第二边缘区的部分包括第二支撑部，所述第二支撑部与所述衬底接触，所述第一支撑层还包括位于所述第二支撑部和所述第一边缘区之间的第二悬浮部，第二悬浮部还包括至少一个第三凸出部，所述第一边缘区包括第四凸出部，所述第三凸出部和所述第四凸出部邻近所述衬底的表面与所述衬底的第一表面的距离大于所述第二悬浮部的其他区域邻近所述衬底的表面与衬底的第一表面之间的距离，所述底电极与所述第四凸出部远离所述衬底的表面接触，所述第一支撑层的第二悬浮部与所述衬底的第一表面不接触。

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