上海新微技术研发中心有限公司;上海精测半导体技术有限公司胡立磊获国家专利权
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龙图腾网获悉上海新微技术研发中心有限公司;上海精测半导体技术有限公司申请的专利超浅结深低能量电子探测器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116960209B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210411524.4，技术领域涉及：H10F30/223；该发明授权超浅结深低能量电子探测器是由胡立磊;张力;陈昌;豆传国;任嘉莹;罗浒;张旭设计研发完成，并于2022-04-19向国家知识产权局提交的专利申请。
本超浅结深低能量电子探测器在说明书摘要公布了：本发明提供一种超浅结深低能量电子探测器，电子探测器包括：硅衬底，其包含相对的第一面和第二面；超浅结深的P型掺杂层，通过在硅衬底表面形成硼单质层后进行热扩散的方式形成于硅衬底的第一面，P型掺杂层的厚度介于3～10nm之间；N型掺杂层，形成于硅衬底的第二面；保护环结构，自P型掺杂层朝硅衬底延伸；阻挡层，形成于P型掺杂层上，阻挡层中形成有窗口，通过窗口定义电子探测器的探测区域；网格状电极，形成于探测区域中的P型掺杂层上。本发明可以有效解决电子探测器对低能量电子的探测问题，有效提高对低能量电子的探测效率。
本发明授权超浅结深低能量电子探测器在权利要求书中公布了：1.一种超浅结深低能量电子探测器，其特征在于，所述电子探测器包括： 硅衬底，其包含相对的第一面和第二面； 超浅结深的P型掺杂层，通过在所述硅衬底表面形成硼单质层后进行热扩散的方式形成于所述硅衬底的第一面，所述P型掺杂层的厚度介于3～10nm之间； N型掺杂层，形成于所述硅衬底的第二面； 保护环结构，自所述P型掺杂层朝所述硅衬底延伸； 阻挡层，形成于所述P型掺杂层上，所述阻挡层中形成有窗口，通过所述窗口定义所述电子探测器的探测区域； 网格状电极，形成于所述探测区域中的P型掺杂层上。
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