买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网获悉中国人民解放军空军工程大学申请的专利一种电弧等离子体增强型沟槽湍流摩擦减阻装置与方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117002728B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310957889.1，技术领域涉及：B64C21/02；该发明授权一种电弧等离子体增强型沟槽湍流摩擦减阻装置与方法是由苏志;方子淇;宗豪华;吴云;梁华设计研发完成，并于2023-07-27向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种电弧等离子体增强型沟槽湍流摩擦减阻装置与方法在说明书摘要公布了：提供一种电弧等离子体增强型沟槽湍流摩擦减阻装置，包括沟槽壁面1和电弧电极组2，沟槽壁面1由多个沿流向延伸并沿展向等距分布的沟槽形成，将电弧电极组2以阵列的形式布置于沟槽壁面1上。还提供相应减阻方法：将传感器布置在流场采集流场数据中，并将数据输入到控制器中；控制器对数据进行分析，据此选择工作模式和参数；传感器再次采集流场数据，收集电弧放电后的流场信息；控制器再次对数据进行分析，测量表面摩擦阻力，对比电弧放电前后摩擦阻力变化，若实现预期减阻效果，工作结束，否则重回第二步选择新的工作模式或放电状态。本发明采用能够主动控制的电弧等离子体放电与沟槽被动流动控制技术相结合，能够在实际飞行复杂来流条件下实现有效减阻。

本发明授权一种电弧等离子体增强型沟槽湍流摩擦减阻装置与方法在权利要求书中公布了：1.一种电弧等离子体增强型沟槽湍流摩擦减阻装置，其特征在于，包括沟槽壁面1和电弧电极组2，沟槽壁面1和电弧电极组2的几何尺寸根据具体的应用场景进行适应性设计，其中 沟槽壁面1由多个沿流向延伸并沿展向等距分布的沟槽形成；沟槽深度h和沟槽展向宽度s满足： h＝8～12δv1 s＝15～20δv2 δv＝vuτ3 其中v为运动粘度，h沟槽深度，s为沟槽宽度，δv为边界层粘性长度尺度，uτ为边界层摩擦速度；沟槽剖面形状为V型，沟槽底部为具有一定宽度的平面谷底，沟槽壁面最高处的尖峰也具有一定宽度，沟槽几何尺寸按照式1～式3偏大设计； 将电弧电极组2以阵列的形式布置于沟槽壁面1上，根据布置位置的不同，分为沟槽谷底电极组21和沟槽尖峰电极组22，沟槽谷底电极组21沿流向布置于沟槽壁面最低处的谷底，沟槽尖峰电极组22沿流向布置于沟槽壁面最高处的尖峰，其中流向代表平面内与来流相同的方向，展向代表平面内与来流垂直的方向；沟槽尖峰和谷底的电极组数量根据具体应用场景进行改变；沟槽谷底电极组21为展向一排或者展向多排，展向多排即在一个沟槽谷底或一个沟槽尖峰中沿展向布置多排电极组；沿流向分为谷底电极组一组211、二组212、三组213…和尖峰电极组一组221、二组222、三组223…，每个电极组包括P小组正负电极，即2P个电极，每组电极组-谷底电极组和尖峰电极组-均包括P小组正负电极，对于谷底电极组而言：谷底电极组由P个高压电极2111和P个低压电极2112组成，沿流向依次按高压电极2111、低压电极2112、高压电极2111、低压电极2112…的顺序排布，每小组正负电极包括一个高压电极2111和一个低压电极2112；电极组内各小组正负电极间均可产生电弧放电；电极组内电极数量根据需要改变，当所需单组放电长度较长时，电极数量可随之增加，但电极组内电极数量必须为偶数，其中阴极、阳极各占一半数量，每个电极组均按照相同次序安排电极极性； 定义电极组组外间距为同一沟槽谷底相邻两组沟槽谷底电极组21或同一沟槽尖峰相邻沟槽尖峰电极组22的流向最小距离，电极组组内间距为电极组内部相邻两个正负电极小组之间的流向最小距离，电极间距为正负电极小组内正负电极之间的流向最小距离；电极组组内间距、组外间距和电极间距根据能量需求和工作环境条件进行调整，电极组组外间距应大于组内间距，组内间距应大于电极间距； 高压电极2111和低压电极2112通过导线分别与电源3的正负极相连接，其中正极连接高压电极2111，负极与低压电极2112连接并接地，形成完整的放电回路。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人中国人民解放军空军工程大学，其通讯地址为：710051 陕西省西安市灞桥区长乐东路甲字1号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。