深圳安培龙科技股份有限公司陈君杰获国家专利权
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龙图腾网获悉深圳安培龙科技股份有限公司申请的专利一种硅压阻式压力传感芯片及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117268624B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311227073.X，技术领域涉及：G01L9/00；该发明授权一种硅压阻式压力传感芯片及其制备方法是由陈君杰;徐晨;何江涛;蒋小涵设计研发完成，并于2023-09-22向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种硅压阻式压力传感芯片及其制备方法在说明书摘要公布了：本申请属于压力传感器技术领域，提供一种硅压阻式压力传感芯片及其制备方法，硅压阻式压力传感芯片包括锥形晶圆层、硅弹性膜片、二氧化硅绝缘层、封盖晶圆层、压力敏感单晶硅和欧姆接触金属层；所述硅弹性膜片设置于所述锥形晶圆层的上方；所述二氧化硅绝缘层安装于所述硅弹性膜片的上方；所述封盖晶圆层设置于所述二氧化硅绝缘层，且所述封盖晶圆层与所述二氧化硅绝缘层之间具有参考压力腔；所述压力敏感单晶硅安装于所述二氧化硅绝缘层；所述欧姆接触金属层安装于所述二氧化硅绝缘。本申请克服现有压力传感器存在寿命不长、不耐高温、在高温下工作漏电流情况严重等问题。
本发明授权一种硅压阻式压力传感芯片及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种硅压阻式压力传感芯片，其特征在于，包括： 锥形晶圆层； 硅弹性膜片，所述硅弹性膜片设置于所述锥形晶圆层的上方； 二氧化硅绝缘层，所述二氧化硅绝缘层安装于所述硅弹性膜片的上方； 封盖晶圆层，所述封盖晶圆层设置于所述二氧化硅绝缘层，且所述封盖晶圆层与所述二氧化硅绝缘层之间具有参考压力腔； 压力敏感单晶硅，所述压力敏感单晶硅安装于所述二氧化硅绝缘层，且所述压力敏感单晶硅位于所述参考压力腔的内部； 欧姆接触金属层，所述欧姆接触金属层安装于所述二氧化硅绝缘，且所述欧姆接触金属层位于所述参考压力腔的外部； 所述欧姆接触金属层的厚度为0.8μm-1.2μm，所述压力敏感单晶硅的厚度为0.32～0.7μm，所述二氧化硅绝缘层的厚度为1-3μm。
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