西安交通大学张琪获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉西安交通大学申请的专利一种DLC优化结构的加速度传感器芯片及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117303304B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311533947.4，技术领域涉及：B81B7/02；该发明授权一种DLC优化结构的加速度传感器芯片及其制备方法是由张琪;毕文哲;庞星;梁晓雅;秦伟林;赵玉龙设计研发完成，并于2023-11-16向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种DLC优化结构的加速度传感器芯片及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明属于微机电系统传感器技术领域，公开了一种DLC优化结构的加速度传感器芯片及其制备方法；其中，所述压阻式加速度传感器芯片中，SOI基片通过基片框架键合于硼玻璃上，中心质量块通过呈十字形布置的四个内嵌式微梁与基片框架连接；四个内嵌式微梁上布设有四个压敏电阻条，四个压敏电阻条通过沉积于SOI基片上的表面金属引线连接成惠斯通全桥，并与沉积于SOI基片上的焊盘连接；其中，SOI基片上沉积有DLC膜，DLC膜覆盖表面金属引线、四个压敏电阻条以及SOI基片除去焊盘外的区域。本发明可在提高传感器灵敏度的同时，保证敏感结构的强度；实现了对于压敏电阻条的保护，能够提高传感器可靠性。
本发明授权一种DLC优化结构的加速度传感器芯片及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种DLC优化结构的加速度传感器芯片，其特征在于，包括：SOI基片1和硼玻璃7，SOI基片1包括基片框架和中心质量块3； SOI基片1通过基片框架键合于硼玻璃7上，中心质量块3通过呈十字形布置的四个内嵌式微梁4与基片框架连接；四个内嵌式微梁4上布设有四个压敏电阻条5，四个压敏电阻条5通过沉积于SOI基片1上的表面金属引线6连接成惠斯通全桥，并与沉积于SOI基片1上的焊盘2连接； 其中，中心质量块3与基片框架、硼玻璃7之间均设置有用于作为工作空间的间隙；SOI基片1上沉积有DLC膜8，DLC膜8覆盖表面金属引线6、四个压敏电阻条5以及SOI基片1除去焊盘2外的区域。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人西安交通大学，其通讯地址为：710049 陕西省西安市碑林区咸宁西路28号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由龙图腾AI智能生成。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号
请提出您的宝贵建议，有机会获取IP积分或其他奖励