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龙图腾网获悉华中科技大学申请的专利一种N型高熵半导体AgBiPbSe2S材料及其制备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117430160B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311419478.3，技术领域涉及：H10N10/852；该发明授权一种N型高熵半导体AgBiPbSe2S材料及其制备是由罗裕波;杨君友;马征;危颖超;李旺设计研发完成，并于2023-10-30向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种N型高熵半导体AgBiPbSe2S材料及其制备在说明书摘要公布了：本发明属于新型高熵半导体材料领域，公开了一种N型高熵半导体AgBiPbSe2S材料及其制备，该N型高熵半导体材料的化学式为AgBiPbSe2S，其中，Ag元素、Bi元素、Pb元素、Se元素和S元素五者原子之比为1：1：1：2：1；该材料晶格结构为面心立方结构，空间群为Fm3m。本发明通过对材料的组成进行改进，得到的AgBiPbSe2S材料既可以作为N型半导体材料，又具有高熵的特性，具有面心立方晶格结构，隶属于Fm3m空间群，尤其可以用作N型热电材料。另外，基于本发明，可以利用高温熔炼实现固相反应、得到目标AgBiPbSe2S材料，制备便捷，可实现大规模制备。

本发明授权一种N型高熵半导体AgBiPbSe2S材料及其制备在权利要求书中公布了：1.一种N型高熵半导体材料作为高硬度N型热电半导体材料的应用，所述N型高熵半导体材料的化学式为AgBiPbSe2S，其中，Ag元素、Bi元素、Pb元素、Se元素和S元素五者原子之比为1：1：1：2：1；该材料晶格结构为面心立方结构，空间群为；室温下的维氏硬度大于192Hv； 并且，所述N型高熵半导体材料具体为AgBiPbSe2S材料块体，是按包括以下步骤的制备方法制备得到的： 1准备原材料粉末：在保护性气氛环境下按化学式AgBiPbSe2S的名义化学剂量比，称取各元素所对应的单质材料粉末； 2粉末混合：将步骤1得到的各种粉末充分混合，得到混合粉末； 3真空封管：将步骤2得到的混合粉末置于石英管中，抽真空至压强不超过10-5托后密封； 4高温熔炼：将步骤3得到的真空密封的石英管，在950℃-1050℃保温24-30小时以进行高温熔炼，熔炼后降温获得熔炼铸锭； 5铸锭粉碎：将步骤4得到的熔炼铸锭粉碎为粉末，这些粉末即为AgBiPbSe2S材料粉末； 6放电等离子体烧结：将步骤5得到的AgBiPbSe2S材料粉末装填到石墨模具中，然后进行放电等离子体烧结，即可得到AgBiPbSe2S材料块体；其中，所述放电等离子体烧结满足：炉腔真空度小于8Pa，轴向压力为45-50MPa，烧结温度为480℃-500℃，烧结时间为10-15分钟；并且，在放电等离子体烧结完成后，具体是采用随炉冷却室温并逐步卸去压力。

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