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龙图腾网获悉福建省金石能源股份有限公司申请的专利一种高双面率背接触电池及制备方法和应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121057351B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511596426.2，技术领域涉及：H10F71/00；该发明授权一种高双面率背接触电池及制备方法和应用是由林朝晖;林楷睿;张超华;皮文慧;林锦山设计研发完成，并于2025-11-04向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种高双面率背接触电池及制备方法和应用在说明书摘要公布了：本发明属于背接触电池技术领域，具体涉及一种高双面率背接触电池及制备方法和应用，包括：S101、对硅片双面进行一次制绒，之后清洗，一次制绒后的绒面金字塔高度记为T1；S102、在硅片背面依次形成第一半导体层和掩膜层；S103、形成间隔排布的第二半导体开口区；非刻蚀开口区为第一制绒区；S104、通过二次制绒清洗，在硅片背面的第二半导体开口区内形成金字塔高度为T2的金字塔绒面且该绒面为第二制绒区，在硅片正面形成金字塔高度为T3的金字塔绒面；控制第一制绒区、第二制绒区的金字塔底部高度差绝对值为T4，T4＞T1＞T2或T3。本发明能够有效降低正面和背面反射率，大幅提高双面率，同时提升电池转换效率。

本发明授权一种高双面率背接触电池及制备方法和应用在权利要求书中公布了：1.一种高双面率联合钝化背接触电池的制备方法，其特征在于，包括如下步骤： S101、对硅片双面进行一次制绒，之后清洗，一次制绒后的绒面金字塔高度记为T1； S102、在硅片背面依次形成第一半导体层和掩膜层，第一半导体层包含依次设置的隧穿氧化层和第一掺杂多晶硅层； S103、在S102所得背面的部分第一半导体层及其掩膜层上进行第一刻蚀开口，形成间隔排布的第二半导体开口区；非刻蚀开口区为第一制绒区，第一制绒区的金字塔高度为T1，T1在0.5-3µm； S104、通过二次制绒清洗，在硅片背面的第二半导体开口区内形成金字塔高度为T2的金字塔绒面且该绒面为第二制绒区，在硅片正面形成金字塔高度为T3的金字塔绒面，T2、T3各自独立地在0.3-2µm；之后清洗去除至少部分掩膜层；S104二次制绒后的第二制绒区的反射率小于第一制绒区的反射率，第一制绒区的反射率为11%-15%，第二制绒区的反射率为9%-11%； 其中，控制第一制绒区、第二制绒区的金字塔底部高度差绝对值为T4，且满足：T4＞T1＞T2或T3，T4在1-8µm； S105、之后在S104所得正面依次形成正面钝化层与减反层，并在S104所得背面沉积第二半导体层，第二半导体层包含非晶钝化层和第二掺杂硅层。

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