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龙图腾网获悉江西省鼎鑫盛光学科技有限公司申请的专利基于半导体晶片工艺的激光保护镜片高损伤阈值镀膜方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121204663B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511472840.2，技术领域涉及：C23C28/04；该发明授权基于半导体晶片工艺的激光保护镜片高损伤阈值镀膜方法是由李吕剑;欧阳学标设计研发完成，并于2025-10-15向国家知识产权局提交的专利申请。

本基于半导体晶片工艺的激光保护镜片高损伤阈值镀膜方法在说明书摘要公布了：本发明属于镀膜技术领域，涉及基于半导体晶片工艺的激光保护镜片高损伤阈值镀膜方法，包括：对光学镜片基底依次进行超声波清洗和等离子体活化，得到预处理镜片；采用双靶共溅射工艺在预处理镜片表面交替沉积二氧化铪膜层和二氧化硅膜层，得到镀膜镜片；以三甲基铝和臭氧作为前驱体，采用原子层沉积工艺在镀膜镜片表面生长氧化铝封装层，随后进行梯度退火处理，得到激光保护镜片。整套工艺从界面结合、膜层结构到表面封装进行系统优化，通过优化镀膜工艺各环节的协同作用，在提升膜层本征质量的同时增强了环境适应性，使镜片能够耐受高功率激光的长期辐照，显著提升了激光保护镜片的抗损伤性能与长期稳定性。

本发明授权基于半导体晶片工艺的激光保护镜片高损伤阈值镀膜方法在权利要求书中公布了：1.一种基于半导体晶片工艺的激光保护镜片高损伤阈值镀膜方法，其特征在于，所述镀膜方法包括： Ⅰ对光学镜片基底依次进行超声波清洗和等离子体活化，得到预处理镜片； Ⅱ采用双靶共溅射工艺在步骤Ⅰ得到的所述预处理镜片表面交替沉积二氧化铪膜层和二氧化硅膜层，得到镀膜镜片；单层所述二氧化铪膜层的厚度为70~80nm，单层所述二氧化硅膜层的厚度为45~55nm； Ⅲ以三甲基铝和臭氧作为前驱体，采用原子层沉积工艺在所述镀膜镜片表面生长氧化铝封装层，每进行5次氧化铝沉积循环，依次进行一次水蒸气修复阶段和一次第三氮气吹扫阶段；随后进行梯度退火处理，得到所述激光保护镜片； 所述原子层沉积的操作过程还包括：每进行5次氧化铝沉积循环，进行如下操作： 向反应腔内通入水蒸气，持续通入一段时间后停止通入并静置一段时间，完成一次水蒸气修复阶段；随后，向所述反应腔内通入氮气对所述镀膜镜片表面进行氮气吹扫，吹扫结束后静置一段时间，完成一次第三氮气吹扫阶段； 在所述水蒸气修复阶段，水蒸气的流量为12~15sccm，水蒸气的持续通入的时间为0.3~0.5s； 所述梯度退火处理的操作步骤包括： 首先以第一升温速率加热至第一退火温度并保温，随后以第二升温速率继续加热至第二退火温度并保温，随后以第一降温速率至第三退火温度，最后停炉，随炉冷却至室温； 所述第一退火温度为145~155℃； 所述第二退火温度为190~200℃。

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