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龙图腾网获悉苏州焜原光电有限公司申请的专利一种周期厚度渐变的铟砷/铟砷锑超晶格生长方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121218730B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511748950.7，技术领域涉及：H10F71/00；该发明授权一种周期厚度渐变的铟砷/铟砷锑超晶格生长方法是由钱程;陈意桥;傅祥良设计研发完成，并于2025-11-26向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种周期厚度渐变的铟砷/铟砷锑超晶格生长方法在说明书摘要公布了：本发明涉及红外探测器技术领域，提供一种周期厚度渐变的铟砷铟砷锑超晶格生长方法，包括：调整砷阀门的开度为第一开度、锑阀门的开度为初始开度、铟温度为初始温度，在缓冲层上生长第一目标周期厚度的第一铟砷铟砷锑超晶格，其中，根据第一目标周期厚度确定第一开度、初始开度和初始温度，第一铟砷层、第一铟砷锑界面层、第一铟砷锑层在缓冲层上依次堆叠为第一铟砷铟砷锑超晶格；基于第二目标周期厚度和第一目标周期厚度调整砷阀门的开度为第二开度，保持锑阀门的开度和铟温度不变，在第一铟砷铟砷锑超晶格上生长第二目标周期厚度的第二铟砷铟砷锑超晶格。以解决相关技术生长周期厚度渐变的铟砷铟砷锑超晶格存在失配漂移的问题。

本发明授权一种周期厚度渐变的铟砷/铟砷锑超晶格生长方法在权利要求书中公布了：1.一种周期厚度渐变的铟砷铟砷锑超晶格生长方法，其特征在于，包括： 对目标衬底依次进行脱氧处理和缓冲层生长； 调整砷阀门的开度为第一开度、锑阀门的开度为初始开度、铟温度为初始温度，在所述缓冲层上生长第一目标周期厚度的第一铟砷铟砷锑超晶格，其中，所述第一开度、所述初始开度和所述初始温度是根据所述第一目标周期厚度确定的，所述第一目标周期厚度为第一铟砷层的厚度、第一铟砷锑界面层的厚度、第一铟砷锑层的厚度之和，所述第一铟砷层、所述第一铟砷锑界面层、所述第一铟砷锑层在所述缓冲层上依次堆叠为所述第一铟砷铟砷锑超晶格； 基于第二目标周期厚度和所述第一目标周期厚度调整所述砷阀门的开度为第二开度，保持所述锑阀门的开度和所述铟温度不变，在所述第一铟砷铟砷锑超晶格上生长所述第二目标周期厚度的第二铟砷铟砷锑超晶格； 所述第二目标周期厚度为第二铟砷层的厚度、第二铟砷锑界面层的厚度、第二铟砷锑层的厚度之和，所述第二铟砷层、所述第二铟砷锑界面层、所述第二铟砷锑层在所述第一铟砷铟砷锑超晶格上依次堆叠为所述第二铟砷铟砷锑超晶格； 基于第二目标周期厚度和所述第一目标周期厚度调整所述砷阀门的开度为第二开度，包括： 基于所述第一铟砷锑界面层的第一存在时间和第一界面锑组分，所述第一铟砷锑层的第一生长时间和第一锑组分、以及所述第二目标周期厚度与所述第一目标周期厚度的第一比值，确定所述第二铟砷锑层的第二锑组分，其中，所述第一存在时间和所述第一生长时间是基于所述第一目标周期厚度确定的，所述第一界面锑组分和所述第一锑组分是基于所述目标衬底确定的，所述第一界面锑组分大于所述第一锑组分； 基于所述第一存在时间、所述第一生长时间、所述第一比值、所述第一铟砷锑层的第一砷组分，确定所述第二铟砷锑层的第二砷组分，其中，所述第一砷组分等于1减去所述第一锑组分； 基于所述第一锑组分、所述第一砷组分、所述第二锑组分和所述第二砷组分，确定所述第二开度； 将所述砷阀门的开度调整为所述第二开度。

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