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龙图腾网获悉山东大学申请的专利分析Zn掺杂KDP晶体表面飞秒激光诱导损伤行为的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121253561B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511831390.1，技术领域涉及：G01N21/95；该发明授权分析Zn掺杂KDP晶体表面飞秒激光诱导损伤行为的方法是由李清波;刘岩;郑润生;刘晓晴;张雨佳;赵显设计研发完成，并于2025-12-08向国家知识产权局提交的专利申请。

本分析Zn掺杂KDP晶体表面飞秒激光诱导损伤行为的方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种分析Zn掺杂KDP晶体表面飞秒激光诱导损伤行为的方法，属于基于计算机数据处理的工程光学技术领域。首先，通过紫外可见吸收光谱和布里渊光散射光谱分别分析Zn掺杂量对KDP晶体的带隙和电声耦合的影响。然后构建一维模型，通过电子密度累积的速率方程和双温模型分别模拟飞秒激光辐照下Zn掺杂KDP晶体表面电子密度、晶格温度和电子温度的时间演变，理论分析Zn掺杂量对KDP晶体表面的损伤行为的影响，建立飞秒激光诱导损伤阈值计算的理论模型，进而无损确定了Zn的最佳掺杂量。本发明不接触真实样品，提升了样品利用率；仿真过程更稳定可控，数据重复性高；还可以缩短研究周期，加速最佳掺杂量筛选。

本发明授权分析Zn掺杂KDP晶体表面飞秒激光诱导损伤行为的方法在权利要求书中公布了：1.一种分析Zn掺杂KDP晶体表面飞秒激光诱导损伤行为的方法，其特征在于，包括以下过程： S1、通过紫外可见吸收光谱和布里渊光散射光谱分别计算不同Zn掺杂量下KDP晶体的带隙和声学声速；不同Zn掺杂量下KDP晶体经切割抛光后，厚度为1mm，带隙Eg计算公式为： ； 其中，α是线性吸收系数，是入射光子的能量，B是与带尾的范围相关的常数；q是控制电子跃迁的系数； 不同Zn掺杂量下KDP晶体声学声速vs计算公式为： ； 其中，vp是相关声子模式的群速度，λ是入射激光波长，ƒ是相关峰的光谱位置，n为样品折射率； S2、建立Zn掺杂KDP晶体的一维模型，模型为线段，线段两端端点代表晶体两侧表面； S3、基于S1获得的带隙，计算在飞秒激光辐照下价带电子的光致电离项、碰撞电离项和弛豫衰减项，三项构成描述Zn掺杂KDP晶体在飞秒激光辐照下自由电子累积的速率方程； S4、基于S1获得的声学声速，计算不同Zn掺杂KDP晶体的电声耦合因子，结合能量的吸收和扩散过程，构成描述Zn掺杂KDP晶体在飞秒激光辐照下电子系统和晶格系统能量交换的双温方程； S5、将速率方程和双温方程耦合形成分析Zn掺杂KDP晶体表面飞秒激光诱导损伤行为的自洽模型； S6、所述自洽模型在入射光一侧的一维模型端点进行可视化表达，通过电子密度、电子温度和晶格温度的时间演化分析Zn掺杂KDP晶体表面飞秒激光诱导损伤行为。

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