浙江晶越半导体有限公司高冰获国家专利权
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龙图腾网获悉浙江晶越半导体有限公司申请的专利一种复合碳化钽涂层及其制备方法和应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121270293B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511840944.4，技术领域涉及：C04B41/89；该发明授权一种复合碳化钽涂层及其制备方法和应用是由高冰;朱玲渊设计研发完成，并于2025-12-09向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种复合碳化钽涂层及其制备方法和应用在说明书摘要公布了：本发明涉及碳化硅生长领域，尤其涉及一种复合碳化钽涂层及其制备方法和应用，所述方法包括以下步骤：S1：将第一含钽氧化物浆料涂覆于石墨基底表面，形成第一预涂层；S2：对所述第一预涂层进行第一热处理，在所述石墨基底表面形成一复合过渡层；S3：将第二含钽氧化物浆料涂覆于所述复合过渡层表面，形成第二预涂层；S4：对所述第二预涂层进行第二热处理，烧结形成主碳化钽层。本申请通过引入光刻胶碳化与原位反应形成的复合过渡层，极大地增强了碳化钽涂层与石墨基底之间的界面结合力与热应力缓冲能力，使涂层的抗热震性能获得质的提升，有效防止了在高温热循环中的开裂与剥落。
本发明授权一种复合碳化钽涂层及其制备方法和应用在权利要求书中公布了：1.一种复合碳化钽涂层的制备方法，其特征在于，包括以下步骤： S1：将第一含钽氧化物浆料涂覆于石墨基底表面，形成第一预涂层；其中，所述第一含钽氧化物浆料以光刻胶为溶剂； 所述光刻胶为型号为AZ4620的正性光刻胶或者型号为SU-82150的负性光刻胶； S2：对所述第一预涂层进行第一热处理，使所述光刻胶碳化形成碳质层，并同步使所述含钽氧化物与碳反应形成碳化钽，在所述石墨基底表面形成一复合过渡层； S3：将第二含钽氧化物浆料涂覆于所述复合过渡层表面，形成第二预涂层；其中，所述第二含钽氧化物浆料以乙醇为溶剂并包含粘结剂； S4：对所述第二预涂层进行第二热处理，烧结形成主碳化钽层； 从而在所述石墨基底上得到包含所述复合过渡层与所述主碳化钽层的复合碳化钽涂层。
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