长鑫芯瑞存储技术(北京)有限公司刘志拯获国家专利权
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龙图腾网获悉长鑫芯瑞存储技术(北京)有限公司申请的专利半导体结构及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121368118B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511916482.X，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权半导体结构及其制造方法是由刘志拯;李宗翰设计研发完成，并于2025-12-18向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构及其制造方法在说明书摘要公布了：本公开实施例提供了一种半导体结构及其制造方法，其中，半导体结构包括：衬底以及位于衬底上的至少一个电容器，电容器包括：多个第一纳米片，沿第一方向延伸，并沿第二方向和第三方向呈阵列排布；其中，第一方向和第二方向相交并与衬底的表面平行，第三方向垂直于衬底的表面；多个第一电容结构，沿第一方向分别位于第一纳米片的两侧并与第一纳米片电连接；导电结构，分别沿第二方向和第三方向贯穿多个第一纳米片，并通过第一纳米片与多个第一电容结构电连接。
本发明授权半导体结构及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，其特征在于，包括： 衬底以及位于所述衬底上的至少一个电容器，所述电容器包括： 多个第一纳米片，沿第一方向延伸，并沿第二方向和第三方向呈阵列排布；其中，所述第一方向和所述第二方向相交并与所述衬底的表面平行，所述第三方向垂直于所述衬底的表面； 多个第一电容结构，沿所述第一方向分别位于所述第一纳米片的两侧并与所述第一纳米片电连接； 导电结构，分别沿所述第二方向和所述第三方向贯穿多个所述第一纳米片，并通过所述第一纳米片与多个所述第一电容结构电连接；其中， 所述导电结构包括：多个第一子部，沿所述第一方向间隔排布，所述第一子部为沿所述第二方向和所述第三方向延伸的板状结构，并沿所述第二方向和所述第三方向贯穿多个所述第一纳米片；多个第二子部，位于相邻的两个所述第一子部之间，并与相邻的两个所述第一子部连接。
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