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龙图腾网获悉深圳云潼微电子科技有限公司;重庆云潼科技有限公司申请的专利一种快恢复二极管及制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121419261B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202512003052.5，技术领域涉及：H10D8/00；该发明授权一种快恢复二极管及制造方法是由韦秋媛;廖光朝设计研发完成，并于2025-12-29向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种快恢复二极管及制造方法在说明书摘要公布了：本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种快恢复二极管及制造方法，该快恢复二极管包括：衬底、外延层、有源区和环绕有源区的终端区；外延层设置在衬底之上；有源区和终端区设置在外延层上；终端区包括：正面P型过渡区和至少两个正面P型场限环；正面P型过渡区和正面P型场限环均位于外延层上，正面P型过渡区与有源区的主结相接触，正面P型场限环呈间隔分布且依次环绕正面P型过渡区和有源区，有源区的主结的上表面、正面P型过渡区的上表面、正面P型场限环的上表面和外延层的上表面处于同一水平面；正面P型过渡区为平滑相接的双弧形区域。通过该快恢复二极管，降低器件的阳极边缘处的电场和电流密度，增强器件的可靠性和实用性。

本发明授权一种快恢复二极管及制造方法在权利要求书中公布了：1.一种快恢复二极管，其特征在于，包括：衬底、外延层、有源区和环绕所述有源区的终端区； 所述外延层设置在所述衬底之上； 所述有源区和所述终端区设置在所述外延层上； 所述终端区包括：正面P型过渡区和至少两个正面P型场限环； 所述正面P型过渡区和所述正面P型场限环均位于所述外延层上，所述正面P型过渡区与所述有源区的主结相接触，所述正面P型场限环呈间隔分布且依次环绕所述正面P型过渡区和所述有源区，所述有源区的主结的上表面、所述正面P型过渡区的上表面、所述正面P型场限环的上表面和所述外延层的上表面处于同一水平面； 其中，所述正面P型过渡区为平滑相接的双弧形区域，所述正面P型过渡区是通过两个圆弧区域形成，且两个圆弧区域之间是平滑相接； 通过在所述终端区靠近所述有源区主结的位置设有所述正面P型过渡区，所述正面P型过渡区与所述有源区的主结相邻且相接触，以降低有源区的主结边缘处的电场强度，横向降低主结边缘处的电流密度； 所述终端区还包括：背面P型过渡区；所述背面P型过渡区为平滑相接的双弧形区域； 所述背面P型过渡区位于所述衬底中或位于所述衬底和所述外延层中，所述背面P型过渡区的表面与所述衬底的底面处于同一水平面； 所述背面P型过渡区在垂直方向上与所述正面P型过渡区对应设置，以使所述背面P型过渡区与所述有源区的主结的垂直方向正下方区域相邻。

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