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龙图腾网获悉上海车仪田科技有限公司申请的专利半导体晶圆薄膜厚度的检测方法、装置和系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121443037B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202512035143.7，技术领域涉及：H10P74/20；该发明授权半导体晶圆薄膜厚度的检测方法、装置和系统是由刘新阳;张黎明;汪晓刚设计研发完成，并于2025-12-31向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体晶圆薄膜厚度的检测方法、装置和系统在说明书摘要公布了：本发明涉及半导体检测技术领域，提供一种半导体晶圆薄膜厚度的检测方法、装置和系统。该方法包括：在发射光路中，向半导体反应腔内的晶圆表面发射入射光束；在主接收光路中，获取晶圆表面反射的主通道信号，主接收光路与发射光路在晶圆表面形成共焦关系；对主接收光路中的光信号进行空间滤波处理，选择性地通过来自晶圆表面的反射光，同时阻挡半导体反应腔内的气溶胶或从观察窗上的液珠散射的离焦光；在N条辅助探测光路中获取对应的N个辅助通道信号；计算各通道信号的相对强度比，识别不同干扰源的光学特征，以分离干扰背景并计算晶圆表面的薄膜厚度。本发明用于在MistCVD等高干扰工艺环境中实现原位实时薄膜厚度检测。

本发明授权半导体晶圆薄膜厚度的检测方法、装置和系统在权利要求书中公布了：1.一种半导体晶圆薄膜厚度的检测方法，其特征在于，包括： 在发射光路中，向半导体反应腔内的晶圆表面发射入射光束； 在主接收光路中，透过半导体反应腔的观察窗获取晶圆表面反射的主通道信号，所述主接收光路与所述发射光路在晶圆表面形成共焦关系； 对所述主接收光路中的光信号进行空间滤波处理，选择性地通过来自晶圆表面的反射光，同时阻挡所述半导体反应腔内的气溶胶或从所述观察窗上的液珠散射的离焦光； 在与入射光束分别成N个不同的预设角度的N条辅助探测光路中获取对应的N个辅助通道信号，N为正整数； 计算所述主通道信号与所述N个辅助通道信号的相对强度比，识别不同干扰源的光学特征，以分离干扰背景；当N为2时，2个辅助通道信号包括第一辅助通道信号和第二辅助通道信号；计算第一相对强度比R1=I_θ1I_main和第二相对强度比R2=I_θ2I_main；其中，I_θ1为所述第一辅助通道信号，I_θ2为所述第二辅助通道信号，I_main为所述主通道信号；通过R1,R2特征向量匹配预建立的干扰特征数据库，识别气溶胶干扰类型； 基于所述分离干扰背景后的所述主通道信号计算晶圆表面的薄膜厚度。

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