长鑫科技集团股份有限公司孙政获国家专利权
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龙图腾网获悉长鑫科技集团股份有限公司申请的专利半导体结构的制备方法与半导体结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121443041B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202512035000.6，技术领域涉及：H10P76/40；该发明授权半导体结构的制备方法与半导体结构是由孙政;毛思玮;丁天;田灿灿;张明;元琳设计研发完成，并于2025-12-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构的制备方法与半导体结构在说明书摘要公布了：本公开提供一种半导体结构的制备方法与半导体结构，涉及半导体技术领域。该方法包括：提供晶圆，所述晶圆包括衬底，所述衬底上设置有基础层；在所述基础层上形成硬掩膜层，所述硬掩膜层从下到上依次包括第一氧化硅层、多晶硅层、第二氧化硅层、碳层；在所述硬掩膜层上形成抗反射层和具有预设图形的光阻层；以所述光阻层为掩膜刻蚀所述抗反射层和所述硬掩膜层，以将所述预设图形转移到所述硬掩膜层；以所述硬掩膜层为掩膜刻蚀所述基础层，以在所述基础层中形成具有所述预设图形的目标结构。本公开改善了高深宽比刻蚀工艺中硬掩膜层变形以及图形失效的问题，确保将图形精确转移到基础层中，以制备出高质量的目标结构，提升产品性能。
本发明授权半导体结构的制备方法与半导体结构在权利要求书中公布了：1.一种具有高深宽比的半导体结构的制备方法，其特征在于，包括： 提供晶圆，所述晶圆包括衬底，所述衬底上设置有基础层； 在所述基础层上形成硬掩膜层，所述硬掩膜层从下到上依次为第一氧化硅层、多晶硅层、第二氧化硅层、碳层；所述第一氧化硅层、所述多晶硅层、所述第二氧化硅层、所述碳层的厚度依次降低；所述第二氧化硅层和所述碳层的厚度之比为1:1~8:1，所述第一氧化硅层和所述多晶硅层的厚度之比为1:1~8:1，所述多晶硅层和所述第二氧化硅层的厚度之比为1:1~8:1； 在所述硬掩膜层上形成抗反射层和具有预设图形的光阻层； 以所述光阻层为掩膜刻蚀所述抗反射层和所述硬掩膜层，以将所述预设图形转移到所述硬掩膜层； 以所述硬掩膜层为掩膜刻蚀所述基础层，以在所述基础层中形成具有所述预设图形的目标结构。
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