上海邦芯半导体科技有限公司王奋获国家专利权
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龙图腾网获悉上海邦芯半导体科技有限公司申请的专利用于氧化铪的原子层刻蚀方法、设备以及半导体器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121463735B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202610012754.1，技术领域涉及：H10P50/28；该发明授权用于氧化铪的原子层刻蚀方法、设备以及半导体器件是由王奋;涂乐志;田有粮;王晓雯;梁洁;王兆祥设计研发完成，并于2026-01-07向国家知识产权局提交的专利申请。
本用于氧化铪的原子层刻蚀方法、设备以及半导体器件在说明书摘要公布了：本发明提供一种用于氧化铪的原子层刻蚀方法、设备以及半导体器件，所述方法包括对反应腔内待刻蚀器件顶面的氧化铪层执行多次循环处理，直至所述氧化铪层达到目标刻蚀要求，其中，每次循环处理包括：将所述待刻蚀器件的温度调节至目标反应温度；提供工艺气体，所述工艺气体包含氯基气体；将所述工艺气体解离成包含离子和氯自由基的等离子体；将所述等离子体中的离子过滤得到氯自由基，以使所述氯自由基与所述氧化铪层的顶面在所述目标反应温度下反应生成四氯化铪层；将所述待刻蚀器件升温至目标升华温度，以使所述四氯化铪层气化并排出。本发明能够减少氧化铪在刻蚀中造成的损伤，并实现较高的刻蚀均匀性和精度。
本发明授权用于氧化铪的原子层刻蚀方法、设备以及半导体器件在权利要求书中公布了：1.一种用于氧化铪的原子层刻蚀方法，其特征在于，所述方法包括对待刻蚀器件顶面的氧化铪层执行多次循环处理，直至所述氧化铪层达到目标刻蚀要求，其中，每次所述循环处理包括： 将所述待刻蚀器件的温度调节至目标反应温度； 提供工艺气体，所述工艺气体包含氯基气体； 将所述工艺气体解离成包含离子和氯自由基的等离子体； 将所述等离子体中的离子过滤得到氯自由基，以使所述氯自由基与所述氧化铪层的顶面在所述目标反应温度下反应生成四氯化铪层； 将所述待刻蚀器件升温至目标升华温度，以使所述四氯化铪层气化并排出。
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