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龙图腾网获悉宁波锦辉光学科技股份有限公司申请的专利一种光学薄膜应力控制方法及真空镀膜系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121496343B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202610043670.4，技术领域涉及：C23C14/35；该发明授权一种光学薄膜应力控制方法及真空镀膜系统是由王志东;孙旭科;陈顺;王清;熊中情;王磊;张哲宁设计研发完成，并于2026-01-14向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种光学薄膜应力控制方法及真空镀膜系统在说明书摘要公布了：本发明公开了一种光学薄膜应力控制方法及真空镀膜系统。所述方法包括：首先在PECVD腔室内利用含有机组分的前驱体在基底表面形成具有粘弹性的缓冲层；随后在真空连通环境下将基底传至PVD腔室沉积金属层，并施加脉冲偏压引入本征压缩应力，以预补偿后续冷却过程产生的热拉伸应力；接着沉积介质层；最后利用所述本征压缩应力抵消热拉伸应力，并利用缓冲层的粘弹性释放界面间的晶格失配剪切应力，实现多层薄膜结构整体残余内应力的相互抵消。本发明通过“主动预补偿+被动弹性吸收”的协同机制，有效解决了多层光学薄膜内应力积聚导致的龟裂或脱落问题，显著提升了薄膜在复杂曲面基底上的附着力与结构稳定性。

本发明授权一种光学薄膜应力控制方法及真空镀膜系统在权利要求书中公布了：1.一种光学薄膜应力控制方法，应用于真空镀膜系统10，所述真空镀膜系统10包括相互连通的PECVD腔室11和PVD腔室12，其特征在于，所述方法包括以下步骤： S1、将基底1送入PECVD腔室11，利用含有机组分的前驱体通过等离子体增强化学气相沉积在基底1表面形成具有粘弹性的缓冲层2； S2、在维持真空且不暴露于大气环境的连通状态下，将基底1传输至PVD腔室12内的金属沉积工位121；向PVD腔室12内通入工艺气体并激发产生等离子体，通过磁控溅射金属靶材，在缓冲层2表面沉积金属层3，同时对基底1施加脉冲偏压，并通过控制所述脉冲偏压的电参数，利用所述等离子体中的离子在所述脉冲偏压驱动下对金属层3的生长表面进行动量传递，以增加金属层3的晶格致密度并在金属层3内部引入本征压缩应力，所述本征压缩应力用于预补偿金属层3在后续冷却过程中产生的热拉伸应力；并且，根据所述基底1在沉积过程中的实时温度变化动态反馈调节所述脉冲偏压的幅值，以维持所述金属层3内部本征压缩应力与动态热应力的实时平衡； S3、将基底1在PVD腔室12内由金属沉积工位121传输至介质沉积工位122，通过磁控溅射在金属层3表面沉积介质层4； S4、利用步骤S2中引入的所述本征压缩应力抵消金属层3因热收缩产生的拉伸应力，并利用缓冲层2的粘弹性释放金属层3与介质层4界面间的晶格失配剪切应力，实现由缓冲层2、金属层3以及介质层4构成的多层薄膜结构的整体残余内应力的相互抵消；其中，所述基底1为车载抬头显示系统中的非球面玻璃，在步骤S2和S3中，通过调整所述基底1经过所述金属沉积工位121和介质沉积工位122时的通过速度，以补偿由于所述非球面玻璃的表面曲率变化导致的沉积厚度差异，使形成的所述金属层3和所述介质层4在所述非球面玻璃表面的厚度偏差小于预设阈值。

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