山西大学焦亭获国家专利权
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龙图腾网获悉山西大学申请的专利一种电池供电系统的双模态智能管理及自保护电路获国家实用新型专利权,本实用新型专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN224138763U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-17发布的实用新型授权公告中获悉:该实用新型的专利申请号/专利号为:202520807804.6,技术领域涉及:H02J7/90;该实用新型一种电池供电系统的双模态智能管理及自保护电路是由焦亭;张宇飞;陈鹏鹏;张明璇;王梦鸽设计研发完成,并于2025-04-25向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种电池供电系统的双模态智能管理及自保护电路在说明书摘要公布了:本实用新型属于电源保护技术领域,具体涉及一种电池供电系统的双模态智能管理及自保护电路,包括驱动模块和检测模块两部分,所述驱动模块包括与非门I0,所述与非门I0输出端与反相器I1的输入端相连,所述反相器I1的输出端与开关晶体管M0和开关晶体管M1的栅极连接,所述开关晶体管M0的漏极经电阻R1连接至二极管D0的阳极、晶体管M2的漏极以及输出驱动晶体管M4的栅极,在所述输出驱动晶体管M4的栅极串联有电阻R3和补偿电容C0,本实用新型采用了由分压电阻R4、稳压二极管D1和晶体管M6构成的反馈支路以及使用电阻R3和补偿电容C0串接在输出驱动晶体管M4栅极和漏极之间构成的零点补偿,可有效控制输出驱动晶体管M4的输出电压Vout。
本实用新型一种电池供电系统的双模态智能管理及自保护电路在权利要求书中公布了:1.一种电池供电系统的双模态智能管理及自保护电路,其特征在于:包括驱动模块和检测模块两部分,所述驱动模块包括与非门I0,所述与非门I0的输入端用于接入控制信号DRIVE_EN和控制信号DET_EN,所述与非门I0输出端与反相器I1的输入端相连,所述反相器I1的输出端与开关晶体管M0和开关晶体管M1的栅极连接,所述开关晶体管M0的漏极经电阻R1连接至二极管D0的阳极、晶体管M2的漏极以及输出驱动晶体管M4的栅极,二极管D0的两端并联有分压电阻R0,所述二极管D0的阴极与输出驱动晶体管M4的源极连接,所述晶体管M2与晶体管M3共栅构成电流镜,并在共栅节点串联有偏置电阻R2,所述晶体管M2的源极、晶体管M3的源极以及偏置电阻R2的另一端均与输出驱动晶体管M4的源极连接,所述晶体管M3的漏极和栅极与控制开关晶体管M1的漏极连接,所述控制开关晶体管M1的源极与晶体管M5的漏极连接,所述晶体管M5与晶体管M6共栅构成电流镜,所述晶体管M5与晶体管M6的栅极均与稳压二极管D1的阳极连接,所述开关晶体管M0、晶体管M5和晶体管M6的源极均接地,所述晶体管M6的漏极与稳压二极管D1的阳极连接,所述稳压二极管D1的阴极与分压电阻R4的一端连接,所述分压电阻R4的另一端与输出驱动晶体管M4的漏极连接,所述输出驱动晶体管M4的漏极与检测模块中的高压晶体管M7的漏极连接,所述高压晶体管M7的栅极用于接入控制信号IN_DET_EN,所述高压晶体管M7的源极通过限流电阻R5连接至晶体管M8的栅极,所述晶体管M8的栅极还与保护二极管D2的阴极连接,所述晶体管M8的源极与晶体管M9的漏极和栅极连接,在所述晶体管M9的漏极与源极之间并联有电阻R6,所述晶体管M9与晶体管M10共栅构成电流镜,所述晶体管M9的源极、晶体管M10的源极以及保护二极管D2的阳极均接地,所述晶体管M8的漏极经过分压电阻R7连接至开关晶体管M11的源极,所述晶体管M10的漏极与反相器I2的输入端连接,所述晶体管M10的漏极通过分压电阻R8连接至开关晶体管M11的源极,所述晶体管M10的漏极还通过分压电阻R9与开关晶体管M11的漏极连接,所述开关晶体管M11的源极与晶体管M12的源极连接,所述晶体管M12的漏极与栅极分别连接在反相器I3的输入端和输出端,形成锁存结构,所述反相器I2、反相器I3、反相器I4、反相器I5和反相器I6依次级联,所述开关晶体管M11的漏极与反相器I5的输入端连接,所述反相器I6的输出端用于输出控制信号。
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