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龙图腾网获悉泰科天润半导体科技(北京)有限公司申请的专利一种非对称高可靠沟槽栅碳化硅VDMOS获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN224139373U 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-17发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202521112361.5，技术领域涉及：H10D30/66；该实用新型一种非对称高可靠沟槽栅碳化硅VDMOS是由胡臻;何佳;陈彤;周海设计研发完成，并于2025-06-03向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种非对称高可靠沟槽栅碳化硅VDMOS在说明书摘要公布了：本实用新型提供了一种非对称高可靠沟槽栅碳化硅VDMOS，包括：漂移层连接至碳化硅衬底；P型阱区连接至漂移层；分流区连接至漂移层，分流区位于第一凹槽的左下角，P型基区连接至分流区，位于第一凹槽左侧；P型源区连接至P型阱区；N型源区分别连接P型阱区、P型基区及P型源区；肖特基金属层连接至漂移层、P型阱区及N型源区；绝缘介质层外侧面分别连接P型源区、N型源区、P型阱区、P型基区以及分流区；绝缘介质层内设有沟槽；栅极金属层设于沟槽内；源极金属层分别连接P型源区、N型源区以及肖特基金属层；漏极金属层连接至碳化硅衬底，单侧保证器件的导通后特性，单侧保证器件体二极管续流特性，提高了器件的可靠性。

本实用新型一种非对称高可靠沟槽栅碳化硅VDMOS在权利要求书中公布了：1.一种非对称高可靠沟槽栅碳化硅VDMOS，其特征在于：包括： 碳化硅衬底， 漂移层，所述漂移层下侧面连接至所述碳化硅衬底上侧面； P型阱区，所述P型阱区下侧面连接至所述漂移层上侧面；所述P型阱区内设有第一凹槽、分流区以及P型基区，所述分流区下侧面连接至所述漂移层上侧面，所述分流区位于所述第一凹槽的左下角，所述P型基区下侧面连接至所述分流区，位于所述第一凹槽左侧； P型源区，所述P型源区下侧面连接至P型阱区上侧面； N型源区，所述N型源区下侧面分别连接所述P型阱区以及P型基区，所述N型源区与所述P型源区连接； 肖特基金属层，所述肖特基金属层下侧面连接至所述漂移层，所述肖特基金属层一侧面连接至所述P型阱区一侧面以及N型源区一侧面； 绝缘介质层，所述绝缘介质层下部设于所述第一凹槽内，所述绝缘介质层外侧面分别连接所述P型源区、N型源区、P型阱区、P型基区以及分流区；所述绝缘介质层内设有沟槽； 栅极金属层，所述栅极金属层设于所述沟槽内； 源极金属层，所述源极金属层分别连接所述P型源区、N型源区以及肖特基金属层； 以及，漏极金属层，所述漏极金属层连接至所述碳化硅衬底下侧面。

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