三星电子株式会社李瑟妃获国家专利权
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龙图腾网获悉三星电子株式会社申请的专利非易失性存储器装置和非易失性存储器系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN111145814B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201911075604.1，技术领域涉及：G11C16/08；该发明授权非易失性存储器装置和非易失性存储器系统是由李瑟妃;郭东勋;朴钟哲设计研发完成，并于2019-11-06向国家知识产权局提交的专利申请。
本非易失性存储器装置和非易失性存储器系统在说明书摘要公布了：提供了一种非易失性存储器装置和非易失性存储器系统。所述非易失性存储器装置包括：字线；位线；存储器单元阵列，其包括位于所述字线和所述位线之间的交叉区域处的第一存储器单元；字线电压产生电路，其被配置为产生编程电压，所述编程电压被提供给所述字线；行解码器电路，其被配置为从所述字线电压产生电路接收所述编程电压，并被配置为向所述字线提供所述编程电压；验证电路，其被配置为响应于验证对所述第一存储器单元的编程的成功或失败而产生验证信号；以及控制电路，其被配置为响应于所述验证信号将所述编程电压施加到所述第一存储器单元，并且被配置为响应于所述验证信号中断所述编程电压。
本发明授权非易失性存储器装置和非易失性存储器系统在权利要求书中公布了：1.一种非易失性存储器装置，包括： 字线； 位线； 存储器单元阵列，其包括位于所述字线和所述位线之间的交叉区域处的第一存储器单元； 字线电压产生电路，其被配置为产生编程电压，所述编程电压被提供给所述字线； 行解码器电路，其被配置为从所述字线电压产生电路接收所述编程电压，并被配置为向所述字线提供所述编程电压； 验证电路，其被配置为响应于验证对所述第一存储器单元的编程的成功或失败而产生验证信号；以及 控制电路，其被配置为响应于所述验证信号将所述编程电压施加到所述第一存储器单元，并且被配置为响应于所述验证信号中断所述编程电压， 其中，所述控制电路包括被配置为针对多个循环中的每一个单独地施加所述编程电压的控制器， 其中，所述多个循环包括第一循环和紧接在所述第一循环之后的第二循环，并且 所述验证电路还被配置为在所述第二循环期间验证所述第一循环的编程的成功或失败，并且被配置为将成功信号或失败信号发送到所述控制器。
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