东京毅力科创株式会社田端雅弘获国家专利权
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龙图腾网获悉东京毅力科创株式会社申请的专利基片和基片处理方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112397375B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010766022.4，技术领域涉及：H10P76/20；该发明授权基片和基片处理方法是由田端雅弘;田所昌洋设计研发完成，并于2020-08-03向国家知识产权局提交的专利申请。
本基片和基片处理方法在说明书摘要公布了：本发明提供基片和基片处理方法。基片包括：作为蚀刻的对象的被蚀刻膜；和第1膜。第1膜形成于被蚀刻膜上，由与被蚀刻膜相比对于蚀刻的蚀刻速率低的材料形成。第1膜中，在表面的一方向以第1间隔形成有多个第1开口。第1膜中，在一方向的多个第1开口的外侧，以距最外侧的第1开口和第1间隔相同程度的第2间隔且比第1开口宽的宽度，形成有与第1开口相比深度浅的第2开口。本发明能够抑制形成于被蚀刻膜的各开口的形状之间产生差异。
本发明授权基片和基片处理方法在权利要求书中公布了：1.一种基片，其特征在于，包括： 作为蚀刻的对象的被蚀刻膜；和 形成于所述被蚀刻膜上的第1膜，所述第1膜由与所述被蚀刻膜相比对于蚀刻的蚀刻速率低的材料形成，在表面的一方向以第1间隔形成有多个第1开口，在所述一方向的所述多个第1开口的外侧，以距最外侧的所述第1开口与所述第1间隔相同程度的第2间隔且比所述第1开口宽的宽度，形成有与所述第1开口相比深度浅的第2开口， 在所述第1开口的外侧隔开与所述第1间隔相同程度的所述第2间隔地设置比所述第1开口宽的所述第2开口，由此所述第1开口之间的间隔壁以及所述第1开口与所述第2开口之间的间隔壁的蚀刻从两侧以相同程度进展。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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