株式会社迪思科土屋利夫获国家专利权
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龙图腾网获悉株式会社迪思科申请的专利被加工物的加工方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114289877B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111133942.3，技术领域涉及：H10P54/20；该发明授权被加工物的加工方法是由土屋利夫;吉川敏行;本乡智之设计研发完成，并于2021-09-27向国家知识产权局提交的专利申请。
本被加工物的加工方法在说明书摘要公布了：本发明提供被加工物的加工方法，抑制激光束返回激光振荡器并使用激光束将被加工物的包含倒角部的区域去除。被加工物的加工方法是圆盘状的被加工物的加工方法，具有如下的步骤：带粘贴步骤，将带粘贴在被加工物的一个面上，并借助带而将被加工物与框架一体化；保持步骤，在带粘贴步骤之后，利用保持单元隔着带而对被加工物进行保持；和激光束照射步骤，在保持步骤之后，从被加工物的位于一个面的相反侧的另一个面侧向另一个面照射具有被加工物所吸收的波长的脉冲状的激光束，在激光束照射步骤中，在按照具有相对于被加工物的另一个面的法线以规定的角度倾斜的入射角的方式调整了激光束的朝向的状态下，在另一个面上呈环状照射激光束。
本发明授权被加工物的加工方法在权利要求书中公布了：1.一种被加工物的加工方法，该被加工物呈圆盘状，该被加工物是半导体晶片，其特征在于， 该被加工物的加工方法具有如下的步骤： 带粘贴步骤，将带粘贴在该被加工物的一个面上，并且借助该带而将该被加工物与框架一体化； 保持步骤，在该带粘贴步骤之后，利用保持单元隔着该带而对该被加工物进行保持；以及 激光束照射步骤，在该保持步骤之后，从该被加工物的位于该一个面的相反侧的另一个面侧向该另一个面照射具有该被加工物所吸收的波长的脉冲状的激光束， 在该激光束照射步骤中，对该半导体晶片进行烧蚀加工，其中，在按照具有相对于该被加工物的该另一个面的法线以规定的角度倾斜的入射角的方式调整了该激光束的朝向的状态下，在该另一个面上呈环状照射该激光束。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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