中国科学院微电子研究所;真芯(北京)半导体有限责任公司郭炳容获国家专利权
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龙图腾网获悉中国科学院微电子研究所;真芯(北京)半导体有限责任公司申请的专利一种半导体器件及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114334977B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011081808.9，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权一种半导体器件及其制造方法是由郭炳容;杨涛;胡艳鹏;卢一泓设计研发完成，并于2020-10-10向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种半导体器件及其制造方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种半导体器件及其制造方法，该半导体器件包括一基底、层叠在基底上的第一绝缘叠层、层叠在第一绝缘叠层上的第二绝缘叠层。第一绝缘叠层中开设有第一接触孔，第一接触孔内从下向上填充有堆置接触塞，堆置接触塞未填满第一接触孔。第二绝缘叠层中开设有与第一接触孔连通的第二接触孔。还包括形成在第二绝缘叠层上方的下电极，下电极还向下依次延伸到第二接触孔及第一接触孔内与堆置接触塞接触。将形成在两个绝缘叠层上方的下电极还向下延伸到第一接触孔及第二接触孔内与保留的堆置接触塞接触，使与堆置接触塞接触的部分下电极形成一个类似锚的结构，对整个下电极进行支撑，防止整个下电极倾斜。增大下电极表面积，提高电容器电容。
本发明授权一种半导体器件及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，其特征在于，包括： 基底，所述基底包括晶体管和位线结构，所述位线结构形成在所述晶体管的上方； 层叠在所述基底上的第一绝缘叠层，所述第一绝缘叠层中开设有第一接触孔；其中，所述第一接触孔内从下向上填充有堆置接触塞，所述堆置接触塞与所述晶体管的源区或漏区接触，且所述堆置接触塞未填满所述第一接触孔；在所述第一绝缘叠层中还形成有隔离相邻的两个所述堆置接触塞的绝缘部，所述堆置接触塞和所述绝缘部形成在相邻位线结构之间； 层叠在所述第一绝缘叠层上的第二绝缘叠层，所述第二绝缘叠层中开设有与所述第一接触孔连通的第二接触孔； 形成在所述第二绝缘叠层上方的下电极，且所述下电极还向下依次延伸到所述第二接触孔及所述第一接触孔内与所述堆置接触塞接触； 所述堆置接触塞的高度为h1，所述第一接触孔的高度为h2，其中，20%×h2≤h1≤80%×h2。
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