三星电子株式会社成慧真获国家专利权
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龙图腾网获悉三星电子株式会社申请的专利具有接触塞的半导体存储器装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112992901B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011025442.3，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权具有接触塞的半导体存储器装置是由成慧真;禹东秀;李垣哲设计研发完成，并于2020-09-25向国家知识产权局提交的专利申请。
本具有接触塞的半导体存储器装置在说明书摘要公布了：公开了一种具有接触塞的半导体存储器装置，所述半导体存储器装置包括：基底，具有存储器单元区，在存储器单元区处限定有多个有源区；字线，具有下字线层和上字线层的堆叠结构，并且在第一水平方向上延伸越过所述多个有源区，并且掩埋绝缘层位于字线上；位线结构，布置在所述多个有源区上，在与第一水平方向垂直的第二水平方向上延伸，并且具有位线；以及字线接触塞，通过穿透掩埋绝缘层和上字线层而电连接到下字线层，并且在字线接触塞的上部中具有塞延伸件，塞延伸件具有比字线接触塞的下部的水平宽度大的水平宽度。
本发明授权具有接触塞的半导体存储器装置在权利要求书中公布了：1.一种半导体存储器装置，所述半导体存储器装置包括： 基底，具有存储器单元区和外围电路区，在存储器单元区处限定有多个有源区，在外围电路区处限定有至少一个逻辑有源区； 字线，具有下字线层和上字线层的堆叠结构，并且在第一水平方向上延伸越过所述多个有源区，其中，掩埋绝缘层位于字线上； 多个位线结构，布置在所述多个有源区上，每个位线结构在与第一水平方向垂直的第二水平方向上延伸，并且具有位线； 填充绝缘层，填充所述多个位线结构之间的空间；以及 字线接触塞，通过穿透填充绝缘层、掩埋绝缘层和上字线层而电连接到下字线层，并且在字线接触塞的上部中具有塞延伸件，塞延伸件具有比字线接触塞的下部的水平宽度大的水平宽度。
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