三星电子株式会社朴成律获国家专利权
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龙图腾网获悉三星电子株式会社申请的专利电容器结构及其形成方法、半导体装置及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113130750B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011517369.1，技术领域涉及：H10N97/00；该发明授权电容器结构及其形成方法、半导体装置及其制造方法是由朴成律;蒋在完;金洙焕;金铉埈设计研发完成，并于2020-12-21向国家知识产权局提交的专利申请。
本电容器结构及其形成方法、半导体装置及其制造方法在说明书摘要公布了：公开了电容器结构及其形成方法以及半导体装置及其制造方法。所述电容器结构可以包括位于基底上的下电极、位于基底上的介电层以及位于介电层上的上电极。下电极可以包括具有化学式M1NyM1是第一金属，y是正实数的金属氮化物。介电层可以包括金属氧化物和氮N，金属氧化物具有化学式M2OxM2是第二金属，x是正实数。介电层中的氮N的检测量的最大值可以比下电极中的氮N的检测量的最大值大。
本发明授权电容器结构及其形成方法、半导体装置及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种电容器结构，所述电容器结构包括： 下电极，位于基底上； 介电层，位于基底上；以及 上电极，位于介电层上， 其中，下电极包括具有化学式M1Ny的金属氮化物，其中，M1是第一金属，y是正实数， 其中，介电层包括金属氧化物和N，金属氧化物具有化学式M2Ox，其中，M2是第二金属，x是正实数，并且其中，M1和M2相同或不同， 其中，介电层中的N的检测量的最大值比下电极中的N的检测量的最大值大，并且 其中，所述电容器结构是通过以下步骤形成的电容器结构： 将第一金属前驱体提供到下电极上以形成第一种子层，第一金属前驱体包括中心金属以及结合到中心金属的第一配体和第二配体； 用包括氨基基团-NH2的第三配体取代第二配体以形成包括第二金属前驱体的第二种子层，第二配体包括氨基基团-NR1R2，其中，R1和R2是具有1至5个碳原子的彼此相同或不同的烷基基团，并且氨基基团-NH2的尺寸小于氨基基团-NR1R2的尺寸； 将第三金属前驱体提供到第二种子层上以形成第三种子层，第三金属前驱体包括第四配体和第五配体，并且第三种子层包括第二金属前驱体和第三金属前驱体；以及 对第三种子层执行氧化工艺以形成介电层。
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