三星电子株式会社郑荣采获国家专利权
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龙图腾网获悉三星电子株式会社申请的专利包括垂直场效应晶体管的集成电路器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112103343B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010540612.5，技术领域涉及：H10D30/63；该发明授权包括垂直场效应晶体管的集成电路器件是由郑荣采;金善培;宋昇炫设计研发完成，并于2020-06-15向国家知识产权局提交的专利申请。
本包括垂直场效应晶体管的集成电路器件在说明书摘要公布了：提供了集成电路器件。集成电路器件可以包括垂直场效应晶体管VFET，该垂直场效应晶体管包括：在衬底中的底部源极漏极区、在底部源极漏极区上的沟道区、在沟道区上的顶部源极漏极区、以及在沟道区的侧面上的栅结构。沟道区可以具有十字形上表面。
本发明授权包括垂直场效应晶体管的集成电路器件在权利要求书中公布了：1.一种集成电路器件，包括： 垂直场效应晶体管，其包括： 在衬底中的底部源极漏极区； 在所述底部源极漏极区上的沟道区，其中所述沟道区包括十字形上表面； 在所述沟道区上的顶部源极漏极区； 在所述沟道区的侧面上的栅结构； 第一间隔物，垂直地插置在所述底部源极漏极区与所述栅结构之间；以及 第二间隔物，垂直地插置在所述栅结构与所述顶部源极漏极区之间。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人三星电子株式会社，其通讯地址为：韩国京畿道；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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