深圳英集芯科技股份有限公司陈鑫获国家专利权
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龙图腾网获悉深圳英集芯科技股份有限公司申请的专利一种磁随机存储器及存储芯片、电子设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114335326B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110213470.6，技术领域涉及：H10N50/10；该发明授权一种磁随机存储器及存储芯片、电子设备是由陈鑫设计研发完成，并于2020-09-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种磁随机存储器及存储芯片、电子设备在说明书摘要公布了：本申请提供一种磁随机存储器、存储芯片、电子设备，磁随机存储器包括多个呈阵列排布的磁隧道结单元，磁隧道结单元包括衬底层及设于衬底层上的缓冲层、磁自由层、隧穿绝缘层、铁磁层及钉扎层，缓冲层设于衬底层与磁自由层之间；磁自由层包括第一化合物，第一化合物包括Cr元素和S元素，第一化合物的晶体结构为闪锌矿型结构；其中，隧穿绝缘层设于磁自由层与铁磁层之间，以形成异质结结构；其中，钉扎层设于铁磁层上，用于固定铁磁层的磁化方向。本申请提供了一种能与现有工艺兼容又不需要大电流翻转磁矩的磁随机存储器及其制备方法、存储芯片、电子设备。
本发明授权一种磁随机存储器及存储芯片、电子设备在权利要求书中公布了：1.一种磁随机存储器，其特征在于，包括： 多个呈阵列排布的磁隧道结单元，所述磁隧道结单元包括衬底层及设于所述衬底层上的缓冲层、磁自由层、隧穿绝缘层、铁磁层及钉扎层，所述衬底层为砷化镓层，所述缓冲层设于所述衬底层与所述磁自由层之间；所述磁自由层包括第一化合物，所述第一化合物包括Mn0.1Cr0.9S，其中，所述第一化合物的晶体结构为闪锌矿型结构；其中，所述缓冲层包括硒化锌层、硫化锌层中的至少一者； 其中，所述隧穿绝缘层设于所述磁自由层与所述铁磁层之间，以形成异质结结构；所述钉扎层设于所述铁磁层上，用于固定所述铁磁层的磁化方向。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人深圳英集芯科技股份有限公司，其通讯地址为：518000 广东省深圳市南山区西丽街道西丽社区打石一路深圳国际创新谷八栋(万科云城三期C区八栋)A座3104房研发用房；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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