国际商业机器公司J·弗鲁吉尔获国家专利权
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龙图腾网获悉国际商业机器公司申请的专利具有环绕接触的纳米片晶体管获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114695350B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111412565.7，技术领域涉及：H10D84/85；该发明授权具有环绕接触的纳米片晶体管是由J·弗鲁吉尔;谢瑞龙;程慷果;朴灿鲁设计研发完成，并于2021-11-25向国家知识产权局提交的专利申请。
本具有环绕接触的纳米片晶体管在说明书摘要公布了：实施例包括一种形成半导体器件的方法和所得器件。该方法可以包括在分层的纳米片的半导体层的暴露的部分上形成源极漏极。该方法可以包括在源极漏极上形成牺牲材料。该方法可以包括形成覆盖牺牲材料的电介质层。该方法可以包括利用接触衬垫代替牺牲材料。半导体器件可以包括第一栅极纳米片堆叠和第二栅极纳米片堆叠。半导体器件可以包括与第一纳米片堆叠接触的第一源极漏极和与第二纳米片堆叠接触的第二源极漏极。半导体器件可以包括位于第一源极漏极与第二源极漏极之间的源极漏极电介质。半导体器件可以包括与第一源极漏极、第二源极漏极以及源极漏极电介质接触的接触衬垫。
本发明授权具有环绕接触的纳米片晶体管在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，包括： 第一栅极纳米片堆叠，其中第一栅极部分和第一间隔物形成于两个相邻的纳米片之间； 第二栅极纳米片堆叠； 与所述第一栅极纳米片堆叠接触的第一源极漏极； 与所述第二栅极纳米片堆叠接触的第二源极漏极； 被设置在所述第一源极漏极与所述第二源极漏极之间的源极漏极电介质，其中所述源极漏极电介质与所述第一栅极纳米片堆叠的所述第一间隔物接触；以及 接触衬垫，所述接触衬垫与所述第一源极漏极、所述第二源极漏极以及所述源极漏极电介质接触。
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