中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司赵振阳获国家专利权
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龙图腾网获悉中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司申请的专利半导体结构及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115911036B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110914814.6，技术领域涉及：H10D84/85；该发明授权半导体结构及其形成方法是由赵振阳;柯星;郑二虎设计研发完成，并于2021-08-10向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构及其形成方法在说明书摘要公布了：一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：提供基底，包括衬底、以及衬底上的底部鳍部材料层，衬底包括第一器件区以及第二器件区；在底部鳍部材料层上形成第一鳍部材料层，第一鳍部材料层的材料与底部鳍部材料层的材料不同；去除位于第二器件区的第一鳍部材料层，形成露出底部鳍部材料层顶部的开口；在开口中形成第二鳍部材料层；进行鳍部图形化处理，将底部鳍部材料层图形化为底部鳍部，将第一鳍部材料层图形化为凸立于第一器件区底部鳍部的第一器件鳍部，将第二鳍部材料层图形化为凸立于第二器件区底部鳍部的第二器件鳍部。形成的第二器件鳍部以及第一器件鳍部与底部鳍部的接触面均较为平整，提升了第二器件鳍部和第一器件鳍部的高度一致性。
本发明授权半导体结构及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，其特征在于，包括： 基底，包括衬底，所述衬底包括用于形成第一晶体管的第一器件区、以及用于形成第二晶体管的第二器件区； 鳍状部，凸立于所述衬底上，所述鳍状部包括凸立于所述衬底上的底部鳍部、以及位于所述底部鳍部上的器件鳍部，所述器件鳍部包括位于所述第一器件区的第一器件鳍部、以及位于所述第二器件区的第二器件鳍部，所述器件鳍部与所述底部鳍部的接触面均为平面，且所述第一器件鳍部与所述底部鳍部的材料不同； 其中，所述基底还包括位于所述衬底上的刻蚀停止层，所述刻蚀停止层基于对所述衬底进行离子注入形成，所述底部鳍部凸立于所述刻蚀停止层上。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司，其通讯地址为：201203 上海市浦东新区中国(上海)自由贸易试验区张江路18号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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