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龙图腾网获悉成都鸿辰光子半导体科技有限公司申请的专利一种用于非气密封装的半导体激光器腔面镀膜方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121575359B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202610122049.7，技术领域涉及：C23C14/34；该发明授权一种用于非气密封装的半导体激光器腔面镀膜方法是由龚伟;朱泽宇;胡军;车相辉;张岩设计研发完成，并于2026-01-29向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种用于非气密封装的半导体激光器腔面镀膜方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种用于非气密封装的半导体激光器腔面镀膜方法，适用于半导体激光器技术领域。利用该用于非气密封装的半导体激光器腔面镀膜方法得到的膜系结构，其得到的SiN膜层压应力仅为100Mpa,比现有的SiN膜层应力降低了14倍，耐氢氟酸溶液腐蚀速率比PECVD所生长的SiN慢12倍，应力缺陷得到释放的同时，致密性在原来基础上得到了进一步的增强，在近红外波段材料折射率为2.0左右，满足激光器光学薄膜设计理论参数要求，是一种非常适合应对非气密环境的与激光器接触的隔离层，SiN膜层致密，与bar条晶格匹配较好，缺陷密度低，应力小，与bar条解理面结合牢固，可以有效阻止外界水氧渗透接触解理面，保证激光器在高温高湿环境下的稳定性。

本发明授权一种用于非气密封装的半导体激光器腔面镀膜方法在权利要求书中公布了：1.一种用于非气密封装的半导体激光器腔面镀膜方法，其特征在于：包括如下步骤： A、将半导体激光器晶圆解离成bar条,放置于夹持bar条的夹具中； B、利用电子回旋共振溅镀机在bar条解理面出光前表面和后表面分别沉积第一膜层作为钝化膜，所述第一膜层为氮化硅膜层；所述氮化硅膜层的成膜过程如下所述： B1、将夹持bar条的夹具放入电子回旋共振溅镀机，然后关闭电子回旋共振溅镀机的挡板，对即将使用的Si靶材进行1min-5min的氩气离子轰击，微波功率为250W-400W、射频功率为250W-400W，Ar流量为40sccm； B2、打开挡板并对bar条解理面出光前表面和后表面进行N2等离子铣； B3、接着对N2等离子铣处理过后的bar条解理面出光前表面和后表面进行纯Si溅射工艺处理，所述工艺参数如下所示：微波功率为500W、射频功率为500W、动能气体为Ar，Ar流量为40sccm，溅射时间15秒； B4、重新关闭挡板，在bar条不被溅射到的情况下进行1min-5min的预溅射工艺，所述预溅射工艺的参数如下所示：微波功率为290W，射频功率为275W的射频功率,动能气体为Ar，Ar流量为40sccm，工艺反应气体源为N2，N2流量为4.5sccm，腔室环境温度为150摄氏度； B5、打开挡板对bar条解理面出光前表面和后表面进行热沉积成膜，所述热沉积成膜工艺参数如下所示：微波功率为290W，射频功率为275W的射频功率,动能气体为Ar，Ar流量为40sccm，工艺反应气体源为N2，N2流量为4.5sccm，腔室环境温度为150摄氏度； B6、当bar条解理面出光前表面和后表面完成了SiN薄膜生长后进行热退火释放应力的处理； C、在bar条解理面出光前表面和后表面的第一膜层表面分别利用电子束蒸发技术制作第二膜层得到bar条解理面腔面薄膜膜系结构。

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