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龙图腾网获悉深圳平创半导体有限公司;重庆平创半导体研究院有限责任公司申请的专利场效应晶体管及场效应晶体管的制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121692720B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202610192162.2，技术领域涉及：H10D30/63；该发明授权场效应晶体管及场效应晶体管的制作方法是由张敬萍;罗厚彩;庞久设计研发完成，并于2026-02-10向国家知识产权局提交的专利申请。

本场效应晶体管及场效应晶体管的制作方法在说明书摘要公布了：本申请属于半导体器件领域，具体涉及一种场效应晶体管及场效应晶体管的制作方法，场效应晶体管包括N+型衬底、N‑型漂移区、P型基区、栅极氧化层、分裂栅模块、层间介质层、源极和漏极，N‑型漂移区形成在N+型衬底一侧，P型基区形成在N‑型漂移区远离N+型衬底一侧，P型基区上开设有至少两个栅极沟槽，每个栅极沟槽中设置两个分裂栅单元，至少一个分裂栅单元为控制栅，栅极氧化层填充在栅极沟槽中并包围分裂栅单元，源极形成在P型基区远离N+型衬底一侧，层间介质层形成在栅极氧化层和源极之间，漏极形成在N+型衬底远离N‑型漂移区一侧。多个分裂栅单元可以形成1~4个控制栅和0~3个屏蔽栅的多个组合，不同组合的寄生电容Cgd及寄生电容Cgs大小不同。

本发明授权场效应晶体管及场效应晶体管的制作方法在权利要求书中公布了：1.一种场效应晶体管，其特征在于，包括： N+型衬底； N-型漂移区，形成在所述N+型衬底一侧； P型基区，形成在所述N-型漂移区远离所述N+型衬底一侧，所述P型基区上开设有至少两个栅极沟槽，所述栅极沟槽延伸至所述N-型漂移区； 分裂栅模块，包括多个分裂栅单元，每个所述栅极沟槽中设置两个所述分裂栅单元，每个所述栅极沟槽的所述分裂栅单元重叠且间隔设置，所述分裂栅模块中至少一个所述分裂栅单元为控制栅； 栅极氧化层，填充在所述栅极沟槽中并包围所述分裂栅单元； 源极，形成在所述P型基区远离所述N+型衬底一侧； 层间介质层，形成在所述栅极氧化层和所述源极之间； 漏极，形成在所述N+型衬底远离所述N-型漂移区一侧； 所述场效应晶体管还包括N+型缓冲层、N型载流子存储层、N+型源区和P+型接触区，所述N+型缓冲层形成在所述N+型衬底和所述N-型漂移区之间，所述N型载流子存储层形成在所述N-型漂移区和所述P型基区之间，所述N+型源区形成在所述P型基区远离所述N+型衬底一侧，所述N+型源区与所述栅极沟槽一一对应设置，所述栅极沟槽穿过所述N+型源区延伸至所述N-型漂移区，所述P+型接触区形成在所述P型基区远离所述N+型衬底一侧，且位于相邻两个所述N+型源区之间，所述源极与所述P+型接触区及所述P+型接触区两侧的所述N+型源区连接。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人深圳平创半导体有限公司;重庆平创半导体研究院有限责任公司，其通讯地址为：518102 广东省深圳市宝安区西乡街道渔业社区名优采购中心B座B212；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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