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龙图腾网获悉江西耀驰科技有限公司;江西兆驰半导体有限公司申请的专利垂直LED芯片及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121712165B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202610202505.9，技术领域涉及：H10H20/01；该发明授权垂直LED芯片及其制备方法是由徐洲;曹广亮;胡加辉;金从龙设计研发完成，并于2026-02-12向国家知识产权局提交的专利申请。

本垂直LED芯片及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种垂直LED芯片及其制备方法，涉及半导体光电器件领域。LED芯片的制备方法包括以下步骤：提供外延片；依次形成第一介质层、第一反射层和键合层；与第二衬底键合，并去除第一衬底，暴露N型接触层；将N型接触层刻蚀，形成预设形状的凸台，并暴露所述凸台以外的N型粗化层；形成第一光刻胶层；曝光显影，形成多个第一光刻胶图形；将第一光刻胶图形热回流，以形成多个第二光刻胶图形；将暴露的N型粗化层刻蚀，以在N型粗化层上的第一预设区域内形成多个凸起；在凸起上形成第二介质层和第二反射层；形成N电极和P电极；所述N电极至少部分位于所述第一预设区域上。实施本发明，可以提升垂直LED芯片的光提取效率及可靠性。

本发明授权垂直LED芯片及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种垂直LED芯片的制备方法，其特征在于，包括以下步骤： S1、提供外延片，所述外延片包括第一衬底和依次设于所述第一衬底上的N型接触层、N型粗化层、N型半导体层、MQW层和P型半导体层； S2、在所述P型半导体层上依次形成第一介质层、第一反射层和键合层； S3、将步骤S2得到的外延片与第二衬底键合，并去除第一衬底，暴露所述N型接触层； S4、将所述N型接触层刻蚀，形成预设形状的凸台，并暴露所述凸台以外的N型粗化层； S5、在暴露的所述N型粗化层以及所述凸台上形成第一光刻胶层； S6、将所述第一光刻胶层曝光显影，形成多个第一光刻胶图形；其中，所述第一光刻胶图形为柱状体或台状体； S7、将所述第一光刻胶图形热回流，以使所述第一光刻胶图形的顶部变为弧面，形成多个第二光刻胶图形； S8、将暴露的N型粗化层刻蚀，以在N型粗化层上的第一预设区域内形成多个凸起； S9、在所述凸起上形成第二介质层和第二反射层；其中，所述第二介质层的折射率小于所述N型粗化层的折射率； S10、形成N电极和P电极；所述N电极至少部分位于所述第一预设区域上。

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