西安奕斯伟材料科技股份有限公司;西安奕斯伟硅片技术有限公司苏艳宁获国家专利权
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龙图腾网获悉西安奕斯伟材料科技股份有限公司;西安奕斯伟硅片技术有限公司申请的专利硅片边缘刻蚀装置获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN224178563U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-28发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202521050986.3，技术领域涉及：H10P72/00；该实用新型硅片边缘刻蚀装置是由苏艳宁;孙介楠;陈曦鹏设计研发完成，并于2025-05-26向国家知识产权局提交的专利申请。
本硅片边缘刻蚀装置在说明书摘要公布了：本实用新型提供了一种硅片边缘刻蚀装置，涉及半导体制造技术领域，硅片边缘刻蚀装置，包括：硅片承载台，硅片承载台包括在竖直方向上相对设置的上承载盘和下承载盘，硅片设置于上承载盘和下承载盘之间，上承载盘和下承载盘用于固定硅片，并暴露出硅片的边缘；刻蚀设备，刻蚀设备位于硅片边缘的一侧，刻蚀设备包括第一管路和第二管路；第一管路的第一端和第二管路的第一端连接，且第一管路和第二管路之间形成夹角；第一管路和第二管路均用于朝向夹角内的区域喷射刻蚀气体。本实用新型可以实现对该夹角区域内的硅片边缘的针对性刻蚀，提高对硅片边缘的刻蚀过程的可控性以及实现精确刻蚀硅片边缘的某一区域。
本实用新型硅片边缘刻蚀装置在权利要求书中公布了：1.一种硅片边缘刻蚀装置，其特征在于，包括： 硅片承载台，所述硅片承载台包括在竖直方向上相对设置的上承载盘和下承载盘，硅片设置于所述上承载盘和所述下承载盘之间，所述上承载盘和所述下承载盘用于固定所述硅片，并暴露出所述硅片的边缘； 刻蚀设备，所述刻蚀设备位于所述硅片边缘的一侧，所述刻蚀设备包括第一管路和第二管路； 其中，所述第一管路的第一端和所述第二管路的第一端连接，且所述第一管路和所述第二管路之间形成夹角； 所述第一管路和所述第二管路均用于朝向夹角内的区域喷射刻蚀气体。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人西安奕斯伟材料科技股份有限公司;西安奕斯伟硅片技术有限公司，其通讯地址为：710000 陕西省西安市高新区西沣南路1888号1-3-029室；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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