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龙图腾网获悉广东纽航电子科技有限公司申请的专利一种高集成双基岛可控硅获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN224178598U 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-28发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202423063360.4，技术领域涉及：H10W70/40；该实用新型一种高集成双基岛可控硅是由燕云峰;李小芹;李小红;王小磊;肖贵明;赵丽祯;刘兴杨;肖兵;李小春;燕奥杰;燕韵寒设计研发完成，并于2024-12-12向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种高集成双基岛可控硅在说明书摘要公布了：本申请涉及一种高集成双基岛可控硅，其包括引线框架、第一引线、第二引线、第三引线及两个相同规格的可控硅芯片，两个可控硅芯片的阳极通过第一引线电连接，两个可控硅芯片的阴极通过第二引线电连接，两个可控硅芯片的门极通过第三引线电连接，引线框架包括壳体，壳体底部设置有绝缘基板，两个可控硅芯片固定于绝缘基板顶面，壳体上嵌入有阳极引脚、阴极引脚及门极引脚，引线框架还包括第四引线、第五引线、第六引线，一个可控硅芯片的阳极与阳极引脚通过第四引线电连接，且该可控硅芯片的阴极与阴极引脚通过第五引线电连接，且该可控硅芯片的门极与门极引脚电连接，本申请实现减少因基岛过热使得可控硅门极触发值降低导致电路误触发的情况。

本实用新型一种高集成双基岛可控硅在权利要求书中公布了：1.一种高集成双基岛可控硅，其特征在于：包括引线框架、第一引线、第二引线、第三引线及两个相同规格的可控硅芯片，两个所述可控硅芯片的阳极通过所述第一引线电连接，两个所述可控硅芯片的阴极通过所述第二引线电连接，两个所述可控硅芯片的门极通过所述第三引线电连接，所述引线框架包括壳体，所述壳体底部设置有绝缘基板，两个所述可控硅芯片固定于所述绝缘基板顶面，所述壳体上嵌入有阳极引脚、阴极引脚及门极引脚，所述引线框架还包括第四引线、第五引线、第六引线，一个所述可控硅芯片的阳极与所述阳极引脚通过第四引线电连接，且该所述可控硅芯片的阴极与所述阴极引脚通过第五引线电连接，且另一所述可控硅芯片的门极与所述门极引脚电连接； 所述壳体为包覆所述绝缘基板的封闭结构，所述壳体内部注入有灌封胶将两个所述可控硅芯片固定于所述绝缘基板上，所述阳极引脚、阴极引脚、门极引脚的一端均伸出所述壳体外部。

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