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龙图腾网获悉杭州电子科技大学申请的专利一种忆阻555定时器电路获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116346104B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-01发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310307809.8，技术领域涉及：H03K17/284；该发明授权一种忆阻555定时器电路是由林弥;张贵鹏;饶历;徐超;周张志;王煜博设计研发完成，并于2023-03-28向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种忆阻555定时器电路在说明书摘要公布了：本发明公开了一种忆阻555定时器电路。电路中有4个输入端口IN1、IN2、RESET、CONT，2个输出端口Vout、DISCH，3个直流电源供电端Vcc、V1、V2，1个接地端GND，包括2个模拟电压比较器C1和C2，11个忆阻器M1、M2、M3、M4、M5，其中6个忆阻器构成3个忆阻或逻辑运算单元，4个反相器N1、N2、N3、N4，4个nmos管T1、T2、T3、T4组成，2个pmos管T5、T6组成。忆阻器采用Biolek阈值型忆阻器模型，本发明利用该忆阻器优秀的双极性阈值特性和非易失性设计电路，以一个新型忆阻SR锁存器为核心，利用忆阻器的非易失性实现信号的存储。电路结构简单，功耗低，大幅减小整体电路的面积，而且减小了整体电路器件的数量。

本发明授权一种忆阻555定时器电路在权利要求书中公布了：1.一种忆阻555定时器电路，包括：分压模块、比较模块、控制模块、输出模块，其特征在于，还包括：忆阻SR锁存器模块； 所述分压模块连接所述比较模块； 所述比较模块连接所述忆阻SR锁存器模块； 所述比较模块连接所述控制模块； 所述忆阻SR锁存器模块连接所述控制模块； 所述控制模块连接所述输出模块； 所述忆阻SR锁存器模块包括第四忆阻器M4、第五忆阻器M5、第一模拟电压比较器C1、第二模拟电压比较器C2、第一直流电压V1、第二直流电压V2、第三反相器N3、第二忆阻或逻辑运算单元G2、第一nmos管T1、第二nmos管T2、第三nmos管T3、第四nmos管T4、第一pmos管T5； 所述第二忆阻或逻辑运算单元G2的第一输入端与所述第一nmos管T1的栅极相连，作为所述忆阻SR锁存器模块的输入端VS； 所述第二忆阻或逻辑运算单元G2的第二输入端与所述第二nmos管T2的栅极相连，作为所述忆阻SR锁存器模块的输入端VR； 所述第一pmos管T5的源极接第一直流电压V1，所述第一pmos管T5的漏极接第三反相器N3的输出端，所述第一pmos管T5的漏极接第四忆阻器M4的反向输入端； 所述第三反相器N3的输入端接所述第四nmos管T4的漏极； 所述第四忆阻器M4的正向输入端接所述第五忆阻器M5的正向输入端，所述第四忆阻器M4的正向输入端接第三nmos管T3的源极，所述第四忆阻器M4的正向输入端接第四nmos管T4的源极，所述第四忆阻器M4的正向输入端作为所述忆阻SR锁存器模块的输出端VSR； 所述第三nmos管T3的漏极接所述第一nmos管T1的源极，所述第三nmos管T3的漏极接第二nmos管T2的漏极；所述第二nmos管T2的源极接地； 所述第一nmos管T1的漏极接第二直流电压V2； 所述第五忆阻器M5的反向输入端接地。

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