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龙图腾网获悉杭州中欣晶圆半导体股份有限公司申请的专利磨片与腐蚀结合提高硅片正背面平坦度的工艺获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116387138B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-01发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310287234.8，技术领域涉及：H10P90/00；该发明授权磨片与腐蚀结合提高硅片正背面平坦度的工艺是由何荣;张森阳;蔡来强;高威;缪燃设计研发完成，并于2023-03-22向国家知识产权局提交的专利申请。

本磨片与腐蚀结合提高硅片正背面平坦度的工艺在说明书摘要公布了：本发明涉及一种磨片与腐蚀结合提高硅片正背面平坦度的工艺，所属硅片加工技术领域，包括如下操作步骤：步骤一：采用磨片设备对硅片进行磨片；磨片去除量为65±5μm，磨片后硅片厚度为770±5μm。将线切后的硅片放置到研磨载体的硅片槽内，每个研磨载体放置5枚硅片，磨片机架上有5个研磨载体，研磨载体的厚度620～737μm，硅片放置好后，开始磨片加工。步骤二：进行腐蚀工艺去除磨片后的损伤层，腐蚀去除量为30±3μm。酸腐蚀前对硅片进行清洗，在腐蚀设备上对硅片进行酸腐蚀。通过磨片和腐蚀2个工艺结合，提高硅片正面背面平坦度，使得抛光前获得较好的正背面平坦度，抛光后能获得较好的平坦度结果。

本发明授权磨片与腐蚀结合提高硅片正背面平坦度的工艺在权利要求书中公布了：1.一种磨片与腐蚀结合提高硅片正背面平坦度的工艺，其特征在于包括如下操作步骤： 步骤一：采用磨片设备对硅片进行磨片；磨片去除量为65±5μm，磨片后硅片厚度为770±5μm； 第一步：磨片设备先开机，对磨片需要的研磨剂进行配液； 第二步：将线切后的硅片放置到研磨载体3的硅片槽4内，每个研磨载体3放置5枚硅片，磨片机架1上有5个研磨载体3，研磨载体3的厚度620-737μm； 第三步：硅片放置好后，开始磨片加工，研磨载体3和硅片放置与磨片机架1上下定盘中间，上定盘固定，下定盘旋转，下定盘转速30rmin，研磨压力900KG； 下定盘旋转时，由于摩擦的作用，会带动研磨载体3进行公转，于是研磨载体3内硅片相对上下定盘有一个公转速度，同时外齿轮2有一个转速，内齿轮5有一个转速，内外齿轮转动会带动研磨载体3进行自转，通过调节内齿轮5，控制研磨载体3自转为顺时针和逆时针； 第四步：在磨片设备内完成研磨后进行测厚和下料，接着目检合格后进入喷淋、鼓泡和洗净； 步骤二：进行腐蚀工艺去除磨片后的损伤层，腐蚀去除量为30±3μm； 第一步：酸腐蚀前对硅片进行清洗，目的是去除硅片表面的颗粒及沾污，避免在腐蚀过程中导致金属扩散和污迹； 第二步：在腐蚀设备上对硅片进行酸腐蚀，酸腐蚀的药液由HF、HNO3和CH3COOH，腐蚀加工流程为：打开硅片盒置于水车→倒片机→腐蚀笼→腐蚀机→倒片机→水车打开硅片盒置于水车； 腐蚀过程中腐蚀速率、腐蚀均匀性对腐蚀后硅片的形貌及平坦度起着非常关键的作用，通过控制腐蚀温度、腐蚀笼转速，N2鼓泡流量、N2鼓泡时间，控制腐蚀速率和腐蚀均匀性； 第三步：完成腐蚀过程的硅片经过目检合格后进入喷淋、鼓泡和洗净。

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