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龙图腾网获悉华芯程(杭州)科技有限公司申请的专利掩膜图的光学邻近校正方法、装置、设备及存储介质获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121578581B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-01发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202610114820.6，技术领域涉及：G03F1/36；该发明授权掩膜图的光学邻近校正方法、装置、设备及存储介质是由请求不公布姓名;请求不公布姓名设计研发完成，并于2026-01-28向国家知识产权局提交的专利申请。

本掩膜图的光学邻近校正方法、装置、设备及存储介质在说明书摘要公布了：本发明涉及半导体加工工艺技术领域，公开了一种掩膜图的光学邻近校正方法、装置、设备及存储介质，该掩膜图的光学邻近校正方法包括对待加工晶片的抛光面进行形貌预测，获得抛光面形貌信息；根据所述抛光面形貌信息对仿真光学模型中的焦平面参数进行修正；利用修正后的所述仿真光学模型，对初始掩膜图案进行光学邻近校正，以获得校正后的掩膜图。本申请中先对待加工晶片的抛光面形貌信息进行了预测，并以此为依据对仿真光学模型中的焦平面参数进行修正，保证了基于该仿真光学模型实现初始掩膜图案的光学邻近校正的准确可靠性，有利于提升基于该掩膜图进行半导体光刻的加工精度。

本发明授权掩膜图的光学邻近校正方法、装置、设备及存储介质在权利要求书中公布了：1.一种掩膜图的光学邻近校正方法，其特征在于，包括： 对待加工晶片的抛光面进行形貌预测，获得抛光面形貌信息； 根据所述抛光面形貌信息对仿真光学模型中的焦平面参数进行修正； 利用修正后的所述仿真光学模型，对初始掩膜图案进行光学邻近校正，以获得校正后的掩膜图； 对待加工晶片的抛光面进行形貌预测，获得抛光面形貌信息，包括： 根据在初始掩膜图案进行光学邻近校正中，所述仿真光学模型单次可模拟仿真的单次仿真曝光区域，对所述待加工晶片的抛光面进行区域划分，确定局部区域； 对所述待加工晶片的抛光面上每一所述局部区域分别进行形貌预测，获得每一所述局部区域对应的抛光面形貌信息； 根据所述抛光面形貌信息，确定每一所述局部区域对应的抛光面平均高度； 相应地，根据所述抛光面形貌信息对仿真光学模型中的焦平面参数进行修正，包括： 以所述局部区域的所述抛光面平均高度，作为对应的单次仿真曝光区域的仿真光学模型中的焦平面补偿量，对所述焦平面参数进行补偿修正； 对所述待加工晶片的抛光面上每一所述局部区域分别进行形貌预测，获得每一所述局部区域对应的抛光面形貌信息，包括： 对所述待加工晶片的抛光面上每一所述局部区域进行高度预测，获得每一所述局部区域对应的平均最大高度和平均最小高度； 相应地，根据所述抛光面形貌信息，确定每一所述局部区域对应的抛光面平均高度，包括： 对每一所述局部区域的所述平均最大高度和所述平均最小高度进行加权求平均，获得所述局部区域的所述抛光面平均高度。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人华芯程(杭州)科技有限公司，其通讯地址为：311113 浙江省杭州市余杭区良渚街道网周路99号1幢22层2208室；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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