台湾积体电路制造股份有限公司田子容获国家专利权
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龙图腾网获悉台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利半导体晶粒封装获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN224192421U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-01发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202521142120.5，技术领域涉及：H10W70/62；该实用新型半导体晶粒封装是由田子容;张任远设计研发完成，并于2025-06-05向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体晶粒封装在说明书摘要公布了：一种半导体晶粒封装，包括集成电路晶粒。集成电路晶粒包括基板、互连层、密封环结构、第一金属垫结构、一个或多个介电层和第二金属垫结构。穿过集成电路integratedcircuit，IC晶粒的钝化层passivationlayer并进入至IC晶粒的密封环结构的顶部的金属垫结构中的开口以形成凹陷。形成凹陷以打开任何孔洞，孔洞可能出现在金属垫结构中的开口内的钝化层中。这使得凹陷以及孔洞能够被填充，这降低了孔洞可能导致钝化层中的分层和薄膜剥离的可能性。可以填充凹陷以及孔洞以形成接合穿孔和接合垫，其可以是虚置结构或可用于将IC晶粒接合半导体晶粒封装中的另一IC。
本实用新型半导体晶粒封装在权利要求书中公布了：1.一种半导体晶粒封装，其特征在于，包括： 一集成电路晶粒，包括： 一基板； 一互连层，在该基板上方； 一密封环结构，在该互连层中横向围绕该集成电路晶粒； 一第一金属垫结构，在该密封环结构上方，其中该第一金属垫结构包括：该第一金属垫结构的一顶部中的一开口； 一个或多个介电层，在该第一金属垫结构上方；以及 一第二金属垫结构，穿过该一个或多个介电层并延伸进入至该第一金属垫结构的该顶部中的该开口中。
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