株式会社半导体能源研究所山崎舜平获国家专利权
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龙图腾网获悉株式会社半导体能源研究所申请的专利半导体装置以及半导体装置的制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113196501B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201980083166.5，技术领域涉及：H10D30/67；该发明授权半导体装置以及半导体装置的制造方法是由山崎舜平;笹川慎也;栃林克明;村川努;高桥绘里香设计研发完成，并于2019-11-19向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体装置以及半导体装置的制造方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种晶体管特性的偏差少的半导体装置。本发明提供一种包括晶体管的半导体装置，其中晶体管包括：第一绝缘体；第一绝缘体上的第一氧化物；第一氧化物上的第一导电体、第二导电体以及配置在第一导电体与第二导电体之间的第二氧化物；第二氧化物上的第二绝缘体；以及第二绝缘体上的第三导电体，与第三导电体重叠的区域的第一氧化物的顶面低于与第一导电体重叠的区域的第一氧化物的顶面，在与第三导电体重叠的区域中，第一氧化物的侧面与顶面之间具有弯曲面，弯曲面的曲率半径为1nm以上且15nm以下。
本发明授权半导体装置以及半导体装置的制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置，包括： 晶体管， 其中，所述晶体管包括： 第一绝缘体； 所述第一绝缘体上的第一氧化物； 所述第一氧化物上的第一导电体、第二导电体以及第二氧化物，所述第二氧化物在所述第一导电体与所述第二导电体之间； 所述第二氧化物上的第二绝缘体；以及 所述第二绝缘体上的第三导电体， 与所述第三导电体重叠的区域中的所述第一氧化物的顶面低于与所述第一导电体重叠的区域中的所述第一氧化物的顶面， 在与所述第三导电体重叠的所述区域中，所述第一氧化物的侧面与顶面之间具有弯曲面， 所述弯曲面的曲率半径为1nm以上且15nm以下， 在所述晶体管的Id-Vg特性中，所述晶体管的漂移值Vsh的标准偏差σ小于60mV， 并且，其中通过将与所述第三导电体重叠的所述区域中的所述第一氧化物的厚度减小的量设置为大于0nm且20nm以下来实现所述晶体管的所述漂移值Vsh的所述标准偏差σ。
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