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龙图腾网获悉中国科学院微电子研究所申请的专利一种TLC NAND闪存译码方法、装置、系统和介质获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114283866B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111592435.6，技术领域涉及：G11C16/04；该发明授权一种TLC NAND闪存译码方法、装置、系统和介质是由王颀;于晓磊;李前辉;杨柳;何菁;王先良;张博;霍宗亮;叶甜春设计研发完成，并于2021-12-23向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种TLC NAND闪存译码方法、装置、系统和介质在说明书摘要公布了：本申请提供了一种TLCNAND闪存译码方法、装置、系统和介质，该方法包括：采用读电压对TLCNAND闪存第一逻辑页进行多次读操作得到多次读取结果，将读取结果之间进行同或得到初始译码结果，根据初始译码结果得到TLCNAND第一逻辑页的各个分布态分别对应的初始LLR值，根据多次读取结果对初始LLR值进行修正以得到修正LLR值，根据修正LLR值对TLCNAND闪存进行译码。即利用同一物理页中的本逻辑页的数据来修正LLR值，无需利用其他逻辑页的数据来修正LLR值，以完成TLCNAND闪存正确译码，实现上简单，提高了效率和用户使用体验。

本发明授权一种TLC NAND闪存译码方法、装置、系统和介质在权利要求书中公布了：1.一种TLCNAND闪存译码方法，其特征在于，包括： 采用读电压对TLCNAND闪存第一逻辑页进行多次读操作得到多次读取结果；其中，所述TLCNAND闪存中的一个物理页包括下页、中页和上页三个逻辑页；所述TLCNAND闪存包括E、P1-P7八个分布态；当所述第一逻辑页为下页时；所述采用读电压对TLCNAND闪存第一逻辑页进行多次读操作得到多次读取结果，包括：在所述E态和所述P1态之间采用第一读电压进行读操作得到第一读取结果；在所述P4态和所述P5态之间采用第五读电压进行读操作得到第五读取结果； 将所述读取结果之间进行同或得到初始译码结果； 根据所述初始译码结果得到TLCNAND所述第一逻辑页的各个分布态分别对应的初始LLR值； 根据所述多次读取结果对所述初始LLR值进行修正以得到修正LLR值；所述根据所述多次读取结果对所述初始LLR值进行修正以得到修正LLR值，包括：获取所述多次读取结果对应的各个分布态的位置信息；根据所述位置信息对第一LLR值进行修正以得到修正LLR值； 根据所述修正LLR值对所述TLCNAND闪存进行译码。

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