深圳市旗滨新材料科技有限公司郑思龙获国家专利权
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龙图腾网获悉深圳市旗滨新材料科技有限公司申请的专利一种原子层沉积设备获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN224199471U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-05发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202521060814.4，技术领域涉及：C23C16/455；该实用新型一种原子层沉积设备是由郑思龙;白振中设计研发完成，并于2025-05-27向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种原子层沉积设备在说明书摘要公布了：本实用新型属于半导体制造技术领域，公开了一种原子层沉积设备，其包括预热腔室、工艺腔室、冷却腔室和输送装置，预热腔室具有用于加热基片的预热腔，工艺腔室具有用于对加热后的基片沉积原子层薄膜的反应腔，反应腔与预热腔之间设有第一门阀，冷却腔室具有用于对沉积完原子层薄膜的基片进行冷却的冷却腔，冷却腔与反应腔之间设有第二门阀，输送装置用于在预热腔、反应腔和冷却腔之间依次输送基片，输送装置上设有用于加热基片的第一加热件。本实用新型提供的原子层沉积设备，集成基片的输送、预热、薄膜沉积、冷却等功能，各个工序依次独立进行互不影响，并且有效提升基片加热的均匀性与可靠性。
本实用新型一种原子层沉积设备在权利要求书中公布了：1.一种原子层沉积设备，其特征在于，包括： 预热腔室1，具有用于加热基片的预热腔101； 工艺腔室2，具有用于对加热后的所述基片沉积原子层薄膜的反应腔201，所述反应腔201与所述预热腔101之间设有第一门阀71； 冷却腔室3，具有用于对沉积完原子层薄膜的所述基片进行冷却的冷却腔301，所述冷却腔301与所述反应腔201之间设有第二门阀72； 输送装置4，用于在所述预热腔101、所述反应腔201和所述冷却腔301之间依次输送所述基片，所述输送装置4上设有用于加热所述基片的第一加热件43。
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