江苏鲁汶仪器股份有限公司郭颂获国家专利权
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龙图腾网获悉江苏鲁汶仪器股份有限公司申请的专利一种半导体设备获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN224204098U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-05发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202521167030.1，技术领域涉及：H01J37/32；该实用新型一种半导体设备是由郭颂;石小丽;卢浩;叶联;刘小波;陶铮;胡冬冬;许开东设计研发完成，并于2025-06-09向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种半导体设备在说明书摘要公布了：本申请提供一种半导体设备，半导体设备包括等离子体反应腔室、控流结构、喷气嘴和等离子体耦合线圈；控流结构设置于等离子体反应腔室，控流结构设置于刻蚀目标和喷气嘴之间；控流结构包括倾斜侧壁，倾斜侧壁的延长线的交点位于刻蚀目标一侧，倾斜侧壁靠近刻蚀目标的一侧围绕形成一个通气孔，即倾斜侧壁的下端尺寸更小，倾斜侧壁的下端围绕形成一个通气孔；控流结构用于将等离子体限制于刻蚀目标周围，即利用倾斜侧壁将反应气体形成的等离子体引流至倾斜侧壁下端，通过倾斜侧壁下端围绕形成的通气孔将等离子体引流至刻蚀目标的周围，从而实现高密度的等离子体聚集在刻蚀目标周围，最终提高刻蚀目标的刻蚀均一性。
本实用新型一种半导体设备在权利要求书中公布了：1.一种半导体设备，其特征在于，所述半导体设备包括等离子体反应腔室、控流结构、喷气嘴和等离子体耦合线圈；所述控流结构设置于所述等离子体反应腔室，所述控流结构设置于刻蚀目标和喷气嘴之间； 所述控流结构包括倾斜侧壁，倾斜侧壁的延长线的交点位于所述刻蚀目标一侧，所述倾斜侧壁靠近所述刻蚀目标的一侧围绕形成一个通气孔； 所述喷气嘴用于向所述等离子体反应腔室通入反应气体，所述等离子体耦合线圈用于将所述反应气体处理为等离子体； 所述控流结构用于将所述等离子体限制于所述刻蚀目标周围。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人江苏鲁汶仪器股份有限公司，其通讯地址为：221300 江苏省徐州市邳州市经济开发区辽河西路8号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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