成都氮矽科技有限公司;南京氮矽科技有限公司刘勇获国家专利权
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龙图腾网获悉成都氮矽科技有限公司;南京氮矽科技有限公司申请的专利一种内置分布式电流采样的增强型GaN功率器件结构获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN224205522U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-05发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202520674200.9，技术领域涉及：H10D30/47；该实用新型一种内置分布式电流采样的增强型GaN功率器件结构是由刘勇;罗鹏;刘家才设计研发完成，并于2025-04-10向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种内置分布式电流采样的增强型GaN功率器件结构在说明书摘要公布了：本实用新型涉及技术领域，具体而言，涉及一种内置分布式电流采样的增强型GaN功率器件结构，本实用新型具有内置分布式电流采样管，分布式采样管与GaN功率器件的主管芯共用栅极和漏极，通过分布式采样管与GaN功率器件主管芯的电流比值和分布式采样管的电流能准确计算出GaN功率器件主管芯的电流值。这样就可以通过监控分布式采样管的电流来实现对GaN功率器件电流的实时监控，分布式采样管输出的电流信号将作为过流保护等保护电路的输入信号以实现GaN功率器件的过流保护等安全操作。该器件采用PGaN结构实现增强型，并在断开区域对应的水平位置增加了非有源区设计，进一步提高了采样管的采样精度。
本实用新型一种内置分布式电流采样的增强型GaN功率器件结构在权利要求书中公布了：1.一种内置分布式电流采样的增强型GaN功率器件结构，其特征在于，包括用作主管芯源极pad的第一互连金属11、采样管源极互连金属9、用作采样管及主管芯栅极金属1互连的栅极互连金属8和用作漏极pad的第二互连金属15，所述栅极互连金属8相邻所述第一互连金属11交叉设置，所述采样管源极互连金属9的一端连接有用作采样管源极pad的第四互连金属14，所述栅极互连金属8的一端连接有用作栅极pad第三互连金属12； 还包括有源区16，所述有源区16包括若干组栅极单元，所述栅极单元位于所述第一互连金属11和第二互连金属15之间，还包括主管芯源极欧姆金属4和采样管源极欧姆金属10，所述主管芯源极欧姆金属4和采样管源极欧姆金属10之间形成第一非有源区17，所述第二互连金属15与栅极单元之间形成第二非有源区13。
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