台湾积体电路制造股份有限公司颜振轩获国家专利权
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龙图腾网获悉台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利半导体装置获国家实用新型专利权,本实用新型专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN224205659U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-05发布的实用新型授权公告中获悉:该实用新型的专利申请号/专利号为:202520401091.3,技术领域涉及:H10W74/10;该实用新型半导体装置是由颜振轩;张任远设计研发完成,并于2025-03-10向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体装置在说明书摘要公布了:一种半导体装置包含第一晶片,其包含第一晶片端缘及第一晶片密封环,第二晶片与第一晶片键接,且第二晶片包含第二晶片端缘及第二晶片密封环,以及测试线部分包含至少以下之一,第一晶片测试线部分于第一晶片之中,且位于第一晶片端缘及第一晶片密封环之间,或第二晶片测试线部分于第二晶片之中,且位于第二晶片端缘及第二晶片密封环之间。
本实用新型半导体装置在权利要求书中公布了:1.一种半导体装置,其特征在于,包含: 一第一晶片,包含一第一晶片端缘及一第一晶片密封环; 一第二晶片,与该第一晶片键接,且包含一第二晶片端缘及一第二晶片密封环;以及 一测试线部分,包含至少以下其中之一: 一第一晶片测试线部分,于该第一晶片之中,位于该第一晶片端缘及该第一晶片密封环之间;或 一第二晶片测试线部分,于该第二晶片之中,位于该第二晶片端缘及该第二晶片密封环之间。
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