晶元光电股份有限公司杨智咏获国家专利权
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龙图腾网获悉晶元光电股份有限公司申请的专利发光元件及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113555482B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-08发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110441715.0，技术领域涉及：H10H20/84；该发明授权发光元件及其制造方法是由杨智咏;王心盈;郭得山;陈昭兴;林羿宏;洪孟祥;洪国庆;吕政霖设计研发完成，并于2021-04-23向国家知识产权局提交的专利申请。
本发光元件及其制造方法在说明书摘要公布了：本发明公开一种发光元件及其制造方法，其中该发光元件包含一半导体叠层，包含第一半导体层、活性区域、第二半导体层以及暴露区，其中暴露区包含第一半导体层的上表面及半导体叠层的侧壁；第一保护层，覆盖暴露区以及半导体叠层；介电材料叠层，位于半导体叠层上，包含由不同折射率的介电材料交互堆叠而成的多个介电材料对及一或多个第一开口；以及金属结构，位于第一反射结构上，填入一或多第一开口与第二半导体层电连接；其中，第一保护层包含第一部分位于暴露区的第一半导体层上表面之上且具有第一厚度，以及第二部分位于第二半导体层之上且具有第二厚度，第一厚度小于第二厚度。
本发明授权发光元件及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种发光元件，其特征在于，包含： 半导体叠层，包含第一半导体层、活性区域、第二半导体层以及暴露区，其中该暴露区包含该第一半导体层的上表面及该半导体叠层的侧壁； 第一保护层，覆盖该暴露区以及该半导体叠层； 第一介电材料叠层，位于该半导体叠层上，包含由不同折射率的介电材料交互堆叠而成的多个介电材料对及一或多个第一开口；以及 金属结构，位于该第一介电材料叠层上，填入该一或多个第一开口与该第二半导体层电连接； 其中，该第一保护层包含第一部分位于该暴露区的该第一半导体层上表面之上且具有第一厚度，以及第二部分位于该第二半导体层之上且具有第二厚度，该第一厚度小于该第二厚度。
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