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龙图腾网获悉华为技术有限公司申请的专利一种延时电路以及驱动装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113574801B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-08发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201980094218.9，技术领域涉及：H03K5/131；该发明授权一种延时电路以及驱动装置是由李进设计研发完成，并于2019-03-20向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种延时电路以及驱动装置在说明书摘要公布了：一种延时电路以及驱动装置，该延时电路可以包括至少两条支路，该至少两条支路并联，至少两条支路中的每条支路具有不同的延时；该延时电路包括至少一个寄存器，该寄存器用于控制至少两条支路中的一条支路接通，使得该延时电路产生于接通的支路对应的延时。由于输入信号的延时越大，摆率越小，因此输入信号通过该至少两条支路中任意一条支路的摆率不同。通过至少一个寄存器控制该至少两条支路中的一条支路接通可以调节输出信号的摆率，使得输出信号的摆率可以兼容不同协议或同一协议下的不同模式。

本发明授权一种延时电路以及驱动装置在权利要求书中公布了：1.一种延时电路，其特征在于，所述延时电路包括： 至少两条支路，所述至少两条支路并联，所述至少两条支路中的每条支路具有不同的延时，所述至少两条支路中每条支路所包括的MOS管的数量和或尺寸不同，以使得所述至少两条支路具有不同的延时； 所述延时电路包括至少一个寄存器，所述至少一个寄存器用于根据不同协议或同一协议的不同工作模式控制所述至少两条支路中的一条支路接通，使得所述延时电路产生与接通的支路对应的延时； 所述至少两条支路包括第一支路和第二支路，所述至少一个寄存器用于控制所述第一支路和所述第二支路中的一条支路接通； 所述第一支路包括第一PMOS管和第二PMOS管，所述第一PMOS管的源极连接电源电压，所述第一PMOS管的漏极连接所述第二PMOS管的源极，所述第一PMOS管的栅极连接输入信号，所述第二PMOS管的栅极连接所述至少一个寄存器的输入； 所述第一支路还包括第一NMOS管和第二NMOS管，所述第一NMOS管的源极接地，所述第一NMOS管的漏极连接所述第二NMOS管的源极，所述第一NMOS管的栅极连接所述输入信号，所述第二PMOS管的漏极连接所述第二NMOS管的漏极，所述第二NMOS管的栅极连接所述至少一个寄存器的输入； 所述第一支路还包括两个PMOS管和两个NMOS管，其中一个PMOS管的源极连接所述电源电压，所述其中一个PMOS管的漏极连接另外一个PMOS管的源极，所述其中一个PMOS管的栅极连接所述输入信号，所述另外一个PMOS管的栅极连接所述输入信号，其中一个NMOS管的源极接地，所述其中一个NMOS管的漏极连接另外一个NMOS管的源极，所述其中一个NMOS管的栅极连接所述输入信号，所述另外一个PMOS管的漏极连接所述另外一个NMOS管的漏极，所述另外一个NMOS管的栅极连接所述输入信号，所述第一PMOS管和所述第一NMOS管的栅极连接所述另外一个PMOS管的漏极； 所述第二支路包括第三PMOS管和第四PMOS管，所述第三PMOS管的源极连接电源电压，所述第三PMOS管的漏极连接所述第四PMOS管的源极，所述第三PMOS管的栅极连接所述输入信号，所述第四PMOS管的栅极连接所述至少一个寄存器的输入； 所述第二支路还包括第三NMOS管和第四NMOS管，所述第三NMOS管的源极接地，所述第三NMOS管的漏极连接所述第四NMOS管的源极，所述第三NMOS管的栅极连接所述输入信号，所述第四PMOS管的漏极连接所述第四NMOS管的漏极，所述第四NMOS管的栅极连接所述至少一个寄存器的输入。

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