京东方科技集团股份有限公司宋尊庆获国家专利权
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龙图腾网获悉京东方科技集团股份有限公司申请的专利垂直型晶体管、显示像素、垂直型发光晶体管及显示面板获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114551764B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-08发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210178507.0，技术领域涉及：H10K50/30；该发明授权垂直型晶体管、显示像素、垂直型发光晶体管及显示面板是由宋尊庆设计研发完成，并于2022-02-25向国家知识产权局提交的专利申请。
本垂直型晶体管、显示像素、垂直型发光晶体管及显示面板在说明书摘要公布了：本公开实施例提供了一种垂直型晶体管、显示像素、垂直型发光晶体管及显示面板，垂直型晶体管包括：源极层、第一有源层、栅极层、第二有源层、漏极层在垂直方向上依次堆叠设置，栅极层包括：第一栅极结构和第二栅极结构，第一有源层、第二有源层均与第一栅极结构形成肖特基接触；第一栅极结构位于垂直堆叠连接区，与源极层在垂直方向上存在第一有源交叠区域，与栅极层在垂直方向上存在第二有源交叠区域，第一栅极结构采用稀疏栅极材料或具有稀疏镂空结构，第一有源交叠区域为第一有源层与源极层和栅极层连接的两个连接面的投影重叠部分，第二有源交叠区域为第二有源层与漏极层和栅极层连接的两个连接面的投影重叠部分；第二栅极结构位于非垂直堆叠连接区。
本发明授权垂直型晶体管、显示像素、垂直型发光晶体管及显示面板在权利要求书中公布了：1.一种垂直型晶体管，其特征在于，至少包括： 源极层、栅极层、漏极层、第一有源层、第二有源层； 所述源极层、所述第一有源层、所述栅极层、所述第二有源层、所述漏极层在垂直方向上依次堆叠设置，所述栅极层包括：第一栅极结构和第二栅极结构，所述第一有源层、所述第二有源层均与所述第一栅极结构形成肖特基接触，所述垂直方向为垂直于基板的方向； 所述第一栅极结构位于垂直堆叠连接区，与所述源极层在所述垂直方向上存在第一有源交叠区域，与所述栅极层在所述垂直方向上存在第二有源交叠区域，所述第一栅极结构采用稀疏栅极材料或具有稀疏镂空结构，其中，所述第一有源交叠区域为所述第一有源层与所述源极层和所述栅极层连接的两个连接面的投影重叠部分，所述第二有源交叠区域为所述第二有源层与所述漏极层和所述栅极层连接的两个连接面的投影重叠部分； 所述第二栅极结构位于非垂直堆叠连接区，与所述第一栅极结构连接，用于接收电压信号。
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