北京超弦存储器研究院李蔚然获国家专利权
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龙图腾网获悉北京超弦存储器研究院申请的专利存储器及其制造方法、电子设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119947109B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-08发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311444365.9，技术领域涉及：H10B43/20；该发明授权存储器及其制造方法、电子设备是由李蔚然;贾礼宾;王耐征;平延磊;董树成设计研发完成，并于2023-11-01向国家知识产权局提交的专利申请。
本存储器及其制造方法、电子设备在说明书摘要公布了：本申请实施例提供了一种存储器及其制造方法、电子设备。该存储器包括衬底和多个存储单元，存储单元包括晶体管，晶体管包括栅电极、栅极绝缘层、沟道区和两个第一保护结构。栅极绝缘层和沟道区依次设置于栅电极的外周；栅极绝缘层和栅电极均沿垂直于衬底的第一方向延伸；第一保护结构设置于沟道区沿第二方向的至少一侧，第二方向平行于所述衬底；沟道区的材料的刻蚀速率大于第一保护结构的材料的刻蚀速率。本申请实施例沟道区与第一保护结构能够形成较明显的刻蚀选择比，在刻蚀寄生沟道区时第一保护结构能够保护沟道区，有利于提升存储器的性能稳定性。
本发明授权存储器及其制造方法、电子设备在权利要求书中公布了：1.一种存储器，其特征在于，包括：衬底和多个存储单元，所述存储单元包括晶体管和电容结构，所述晶体管包括： 栅电极、栅极绝缘层和沟道区，所述栅极绝缘层和所述沟道区依次设置于所述栅电极的外周；所述栅极绝缘层和所述栅电极均沿垂直于衬底的第一方向延伸； 第一保护结构，所述第一保护结构设置于所述沟道区沿第二方向的至少一侧，所述第二方向平行于所述衬底；所述沟道区的材料的刻蚀速率大于所述第一保护结构的材料的刻蚀速率； 源极； 所述电容结构包括依次设置于所述源极一侧的第二电极层，以及所述第二电极层外周的电容绝缘层、第一电极层和串联结构； 所述电容绝缘层包裹所述第二电极层沿所述第一方向的相对两侧和沿所述第二方向的相对两侧；所述第一电极层和所述串联结构依次随形覆盖所述电容绝缘层。
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