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龙图腾网获悉浙江工业大学申请的专利一种跨基膜反扩散原位生长ZIF改性的聚乙烯基聚酰胺荷正电纳滤膜的制备方法及应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120204962B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-08发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510626486.8，技术领域涉及：B01D71/56；该发明授权一种跨基膜反扩散原位生长ZIF改性的聚乙烯基聚酰胺荷正电纳滤膜的制备方法及应用是由薛立新;陈梦瑶;陆叶强;黄秧香设计研发完成，并于2025-05-15向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种跨基膜反扩散原位生长ZIF改性的聚乙烯基聚酰胺荷正电纳滤膜的制备方法及应用在说明书摘要公布了：本发明公开了一种跨基膜反扩散原位生长ZIF改性的聚乙烯基聚酰胺荷正电纳滤膜的制备方法及应用，首先用含有均苯三甲酰氯单体的有机相溶液浇涂支撑膜，然后将聚乙烯亚胺与六水合硝酸锌的混合水溶液浇涂在它的上方进行界面聚合，将聚合完成后的支撑底膜翻转，将2‑甲基咪唑水溶液浇涂于此面，进行跨基膜原位生长ZIF，生长完成后，将膜进行热处理以及醇活化。本发明方法可以使ZIF粒子更加均匀的生在在膜的内部，避免了因MOF团聚而产生的界面间隙，结合使用聚乙烯亚胺作为水相单体的反相界面聚合方法可以制备出高正电层，保持对镁离子高截留的同时大幅度提升水渗透通量，解决渗透性‑选择性相互制约的问题，过程简单，制备条件温和。

本发明授权一种跨基膜反扩散原位生长ZIF改性的聚乙烯基聚酰胺荷正电纳滤膜的制备方法及应用在权利要求书中公布了：1.一种跨基膜反扩散原位生长ZIF改性的聚乙烯基聚酰胺荷正电纳滤膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤： 步骤1：制备聚乙烯亚胺和锌离子的混合水溶液为水相溶液，制备芳香酰氯的烷烃类溶液为有机相溶液，制备含有咪唑单体的水或醇溶液作为反扩散的咪唑溶液； 所述聚乙烯亚胺单体分子量为700到7万道； 所述芳香酰氯为均苯三甲酰氯，所述芳香酰氯的烷烃类溶液中的溶剂为正己烷、环己烷、乙酸乙酯、十二烷烃中的一种或多种； 所述咪唑单体为二甲基咪唑、苯并咪唑中的一种或多种，所述的水为去离子水，所述的醇为甲醇、乙醇中的一种或多种；步骤2：在多孔聚烯烃支撑底膜的一侧表面浇涂步骤1准备好的有机相溶液，浸润后除去多余溶液； 步骤3：使用步骤1配置的水相溶液浇涂步骤2获得的浸润有机相单体的支撑底膜，反相界面聚合后，除去多余溶液，得到多孔聚烯烃支撑材料； 步骤4：在步骤3所得多孔聚烯烃支撑材料未进行界面聚合的一侧表面浇涂步骤1准备好的反扩散的咪唑溶液，反扩散原位生长后，除去多余溶液，得到纳滤膜； 步骤5：将步骤4所获得的纳滤膜进行热处理，醇活化，即可得到跨基膜反扩散原位生长ZIF改性的聚乙烯基聚酰胺荷正电纳滤膜。

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