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龙图腾网获悉三星电子株式会社申请的专利半导体装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112071895B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010511924.3，技术领域涉及：H10D62/10；该发明授权半导体装置是由梁正吉;宋升珉;郑秀真;裴东一;徐凤锡设计研发完成，并于2020-06-08向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体装置在说明书摘要公布了：提供了一种半导体装置，所述半导体装置包括：有源区，其位于衬底上，并且包括在第一方向上延伸的第一侧壁和第二侧壁；以及外延图案，其位于有源区上，其中，外延图案包括分别从第一侧壁和第二侧壁延伸的第一外延侧壁和第二外延侧壁，第一外延侧壁包括第一外延下侧壁、第一外延上侧壁以及连接第一外延下侧壁和第一外延上侧壁的第一外延连接侧壁，第二外延侧壁包括第二外延下侧壁、第二外延上侧壁以及连接第二外延下侧壁和第二外延上侧壁的第二外延连接侧壁，第一外延上侧壁与第二外延上侧壁之间的距离随着远离有源区而减小，并且第一外延下侧壁和第二外延下侧壁与衬底的顶表面平行地延伸。

本发明授权半导体装置在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置，包括： 第一有源区，其布置在衬底的第一区中，并且包括在第一方向上延伸的第一侧壁和第二侧壁； 第二有源区，其布置在所述衬底的第二区中，并且包括在第二方向上延伸的第三侧壁和第四侧壁； 第一外延图案，其布置在所述第一有源区上；以及 第二外延图案，其布置在所述第二有源区上， 其中，所述第一外延图案包括分别从所述第一有源区的所述第一侧壁和所述第二侧壁延伸的第一外延侧壁和第二外延侧壁， 其中，所述第一外延侧壁包括第一外延下侧壁、第一外延上侧壁以及连接所述第一外延下侧壁和所述第一外延上侧壁的第一外延连接侧壁， 其中，所述第二外延侧壁包括第二外延下侧壁、第二外延上侧壁以及连接所述第二外延下侧壁和所述第二外延上侧壁的第二外延连接侧壁， 其中，所述第二外延图案包括分别从所述第二有源区的所述第三侧壁和所述第四侧壁延伸的第三外延侧壁和第四外延侧壁， 其中，所述第三外延侧壁包括第三外延下侧壁和直接连接至所述第三外延下侧壁的第三外延上侧壁， 其中，所述第四外延侧壁包括第四外延下侧壁和直接连接至所述第四外延下侧壁的第四外延上侧壁， 其中，所述第一外延上侧壁至所述第四外延上侧壁以及所述第三外延下侧壁和所述第四外延下侧壁由第一晶面族中包括的晶面形成，并且 其中，所述第一外延下侧壁的至少一部分和所述第二外延下侧壁的至少一部分由第二晶面族中包括的晶面形成， 其中，所述第一晶面族是{111}晶面族， 其中，所述第二晶面族是{111}晶面族和{100}晶面族中的一种， 其中，所述第一区和所述第二区是P型金属氧化物半导体区。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人三星电子株式会社，其通讯地址为：韩国京畿道；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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